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SI8902AEDB-T2-E1

SI8902AEDB-T2-E1

참조 용

부품 번호 SI8902AEDB-T2-E1
PNEDA 부품 번호 SI8902AEDB-T2-E1
설명 N-CHANNEL 24-V (D-S) MOSFET
제조업체 Vishay Siliconix
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 24 - 11월 29 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SI8902AEDB-T2-E1 리소스

브랜드 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SI8902AEDB-T2-E1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
SI8902AEDB-T2-E1, SI8902AEDB-T2-E1 데이터 시트 (총 페이지: 11, 크기: 245.9 KB)
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SI8902AEDB-T2-E1 사양

제조업체Vishay Siliconix
시리즈TrenchFET®
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)24V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)11A
Rds On (최대) @ Id, Vgs28mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id900mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds-
전력-최대5.7W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-UFBGA
공급자 장치 패키지6-Micro Foot™ (1.5x1)

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Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

500mA, 330mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

630mOhm @ 200mA, 5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

1.23nC @ 4V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

46pF @ 10V

전력-최대

150mW

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-563, SOT-666

공급자 장치 패키지

ES6 (1.6x1.6)

TPCP8203(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.7A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

360mW

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SMD, Flat Lead

공급자 장치 패키지

PS-8 (2.9x2.4)

FDG6303N

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

25V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

500mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

450mOhm @ 500mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

2.3nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

50pF @ 10V

전력-최대

300mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

SC-88 (SC-70-6)

BSM180D12P3C007

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Silicon Carbide (SiC)

드레인-소스 전압 (Vdss)

1200V (1.2kV)

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

180A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

5.6V @ 50mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

900pF @ 10V

전력-최대

880W

작동 온도

175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

DMC3071LVT-7

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel Complementary

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.6A (Ta), 3.3A (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

50mOhm @ 3.5A, 10V, 95mOhm @ 3.8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

4.5nC @ 10V, 6.5nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

190pF @ 15V, 254pF @ 15V

전력-최대

700mW (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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