SIA108DJ-T1-GE3
참조 용
| 부품 번호 | SIA108DJ-T1-GE3 |
| PNEDA 부품 번호 | SIA108DJ-T1-GE3 |
| 설명 | MOSFET N-CH 80V PPAK SC-70-6L |
| 제조업체 | Vishay Siliconix |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 7,020 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 11월 30 - 12월 5 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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SIA108DJ-T1-GE3 리소스
| 브랜드 | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | SIA108DJ-T1-GE3 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
| 데이터 시트 |
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SIA108DJ-T1-GE3 사양
| 제조업체 | Vishay Siliconix |
| 시리즈 | TrenchFET® Gen IV |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 80V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 6.6A (Ta), 12A (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 7.5V, 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 38mOhm @ 4A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 4V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 13nC @ 10V |
| Vgs (최대) | ±20V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 545pF @ 40V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 3.5W (Ta), 19W (Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 공급자 장치 패키지 | PowerPAK® SC-70-6 Single |
| 패키지 / 케이스 | PowerPAK® SC-70-6 |
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제조업체 STMicroelectronics 시리즈 - FET 유형 - 기술 - 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) - Rds On (최대) @ Id, Vgs - Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - Vgs (최대) - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - FET 기능 - 전력 손실 (최대) - 작동 온도 - 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-220FP 패키지 / 케이스 TO-220-3 Full Pack |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 3.9A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 2.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 58mOhm @ 3.1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 1.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 12nC @ 10V Vgs (최대) ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - FET 기능 - 전력 손실 (최대) 2.8W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 SOT-363 패키지 / 케이스 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 1.56Ohm @ 2.8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 14.6nC @ 10V Vgs (최대) ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 360pF @ 30V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 2W (Ta), 30W (Tc) 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-220F-3FS 패키지 / 케이스 TO-220-3 |
