SIA778DJ-T1-GE3
참조 용
| 부품 번호 | SIA778DJ-T1-GE3 |
| PNEDA 부품 번호 | SIA778DJ-T1-GE3 |
| 설명 | MOSFET 2N-CH 12V/20V SC70-6 |
| 제조업체 | Vishay Siliconix |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 8,892 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 2월 9 - 2월 14 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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SIA778DJ-T1-GE3 리소스
| 브랜드 | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | SIA778DJ-T1-GE3 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
| 데이터 시트 |
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SIA778DJ-T1-GE3 사양
| 제조업체 | Vishay Siliconix |
| 시리즈 | TrenchFET® |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET 기능 | Logic Level Gate |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 12V, 20V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 4.5A, 1.5A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 29mOhm @ 5A, 4.5V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 1V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 15nC @ 8V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 500pF @ 6V |
| 전력-최대 | 6.5W, 5W |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| 공급자 장치 패키지 | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 2 P-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 3.2A Rds On (최대) @ Id, Vgs 90mOhm @ 2.9A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 18nC @ 8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 881pF @ 10V 전력-최대 1.4W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-UDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지 U-DFN2020-6 (Type B) |
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제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 280mA Rds On (최대) @ Id, Vgs 7.5Ohm @ 50mA, 5V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 50pF @ 25V 전력-최대 150mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지 SOT-563 |
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