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SIA907EDJ-T1-GE3

SIA907EDJ-T1-GE3

참조 용

부품 번호 SIA907EDJ-T1-GE3
PNEDA 부품 번호 SIA907EDJ-T1-GE3
설명 MOSFET N-CH 30V SMD
제조업체 Vishay Siliconix
단가 견적 요청
재고 있음 6,138
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 2 - 2월 7 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SIA907EDJ-T1-GE3 리소스

브랜드 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SIA907EDJ-T1-GE3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

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  • SIA907EDJ-T1-GE3 Distributor

SIA907EDJ-T1-GE3 사양

제조업체Vishay Siliconix
시리즈-
FET 유형-
FET 기능-
드레인-소스 전압 (Vdss)-
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)-
Rds On (최대) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (최대) @ Id-
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds-
전력-최대-
작동 온도-
장착 유형-
패키지 / 케이스-
공급자 장치 패키지-

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

165A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

7mOhm @ 82.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 8mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

480nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

8800pF @ 25V

전력-최대

390W

작동 온도

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장착 유형

Chassis Mount

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FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8.5A, 7A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

21mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

16.1nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

767pF @ 10V

전력-최대

2.5W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

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Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

305mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.4Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.6nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

30pF @ 25V

전력-최대

250mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-563, SOT-666

공급자 장치 패키지

SC-89-6

SI7904DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.3A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

30mOhm @ 7.7A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 935µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

15nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

1.3W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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Infineon Technologies

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드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.3A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

250mOhm @ 1A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

12nC @ 10V

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