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SICRD6650TR

SICRD6650TR

참조 용

부품 번호 SICRD6650TR
PNEDA 부품 번호 SICRD6650TR
설명 DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S
제조업체 SMC Diode Solutions
단가 견적 요청
재고 있음 3,078
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 1 - 12월 6 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SICRD6650TR 리소스

브랜드 SMC Diode Solutions
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SICRD6650TR
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글

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SICRD6650TR 사양

제조업체SMC Diode Solutions
시리즈-
다이오드 유형Silicon Carbide Schottky
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)650V
전류-평균 정류 (Io)6A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.8V @ 6A
속도No Recovery Time > 500mA (Io)
역 복구 시간 (trr)0ns
전류-역방향 누설 @ Vr50µA @ 650V
커패시턴스 @ Vr, F150pF @ 5V, 1MHz
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지DPAK
작동 온도-접합-55°C ~ 175°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

150V

전류-평균 정류 (Io)

2A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

930mV @ 2A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

35ns

전류-역방향 누설 @ Vr

2µA @ 150V

커패시턴스 @ Vr, F

30pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AA, SMB

공급자 장치 패키지

DO-214AA (SMB)

작동 온도-접합

-55°C ~ 175°C

R5031013LSWA

Powerex Inc.

제조업체

Powerex Inc.

시리즈

-

다이오드 유형

Standard, Reverse Polarity

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1000V

전류-평균 정류 (Io)

125A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

2.5V @ 470A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

700ns

전류-역방향 누설 @ Vr

45mA @ 1000V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Chassis, Stud Mount

패키지 / 케이스

DO-205AA, DO-8, Stud

공급자 장치 패키지

DO-205AA (DO-8)

작동 온도-접합

-40°C ~ 150°C

MBRH15040L

GeneSiC Semiconductor

제조업체

GeneSiC Semiconductor

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

40V

전류-평균 정류 (Io)

150A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

600mV @ 150A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

5mA @ 40V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

D-67

공급자 장치 패키지

D-67

작동 온도-접합

-

CDBJSC101200-G

Comchip Technology

제조업체

Comchip Technology

시리즈

-

다이오드 유형

Silicon Carbide Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1200V

전류-평균 정류 (Io)

10A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.7V @ 10A

속도

No Recovery Time > 500mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

0ns

전류-역방향 누설 @ Vr

100µA @ 1200V

커패시턴스 @ Vr, F

780pF @ 0V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-2

공급자 장치 패키지

TO-220-2

작동 온도-접합

-55°C ~ 175°C

GP10M-4007-M3/73

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

Automotive, AEC-Q101, Superectifier®

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1000V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 1A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

3µs

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 1000V

커패시턴스 @ Vr, F

7pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

DO-204AL (DO-41)

작동 온도-접합

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