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SIDC11D60SIC3

SIDC11D60SIC3

참조 용

부품 번호 SIDC11D60SIC3
PNEDA 부품 번호 SIDC11D60SIC3
설명 DIODE SCHOTTKY 600V 4A WAFER
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 2,358
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 24 - 3월 1 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SIDC11D60SIC3 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SIDC11D60SIC3
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
SIDC11D60SIC3, SIDC11D60SIC3 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 54.39 KB)
PDFSIDC11D60SIC3 데이터 시트 표지
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  • SIDC11D60SIC3 Distributor

SIDC11D60SIC3 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
다이오드 유형Silicon Carbide Schottky
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)600V
전류-평균 정류 (Io)4A (DC)
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.9V @ 4A
속도No Recovery Time > 500mA (Io)
역 복구 시간 (trr)0ns
전류-역방향 누설 @ Vr200µA @ 600V
커패시턴스 @ Vr, F150pF @ 1V, 1MHz
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스Die
공급자 장치 패키지Sawn on foil
작동 온도-접합-55°C ~ 175°C

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Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

40V

전류-평균 정류 (Io)

3A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

500mV @ 3A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1.5mA @ 40V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-215AB, SMC Gull Wing

공급자 장치 패키지

DO-215AB

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

JANTX1N5620US

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Military, MIL-PRF-19500/427

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

800V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 3A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

2µs

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 800V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SQ-MELF, A

공급자 장치 패키지

D-5A

작동 온도-접합

-65°C ~ 175°C

SF42G R0G

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io)

4A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 4A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

35ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 100V

커패시턴스 @ Vr, F

100pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-201AD, Axial

공급자 장치 패키지

DO-201AD

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

RO 2ZV1

Sanken

제조업체

Sanken

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io)

1.2A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

930mV @ 1.5A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 200V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

Axial

공급자 장치 패키지

-

작동 온도-접합

-40°C ~ 150°C

FES16JT-9HE3/45

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

Automotive, AEC-Q101

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

16A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

975mV @ 16A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

50ns

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 600V

커패시턴스 @ Vr, F

145pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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