SIDC14D60C6Y
참조 용
| 부품 번호 | SIDC14D60C6Y |
| PNEDA 부품 번호 | SIDC14D60C6Y |
| 설명 | DIODE GEN PURP 600V 50A WAFER |
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 6,354 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 2월 23 - 2월 28 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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SIDC14D60C6Y 리소스
| 브랜드 | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | SIDC14D60C6Y |
| 분류 | 반도체 › 다이오드 및 정류기 › 정류기-싱글 |
| 데이터 시트 |
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SIDC14D60C6Y 사양
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 시리즈 | - |
| 다이오드 유형 | Standard |
| 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) | 600V |
| 전류-평균 정류 (Io) | 50A (DC) |
| 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If | 1.9V @ 50A |
| 속도 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| 역 복구 시간 (trr) | - |
| 전류-역방향 누설 @ Vr | 27µA @ 600V |
| 커패시턴스 @ Vr, F | - |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | Die |
| 공급자 장치 패키지 | Sawn on foil |
| 작동 온도-접합 | -40°C ~ 175°C |
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제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 1200V 전류-평균 정류 (Io) 40A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.9V @ 40A 속도 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 5µs 전류-역방향 누설 @ Vr 10µA @ 1200V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Chassis, Stud Mount 패키지 / 케이스 DO-203AB, DO-5, Stud 공급자 장치 패키지 DO-5 작동 온도-접합 - |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 Military, MIL-PRF-19500/609 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 75V 전류-평균 정류 (Io) 300mA 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.2V @ 500mA 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 4ns 전류-역방향 누설 @ Vr 100nA @ 75V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 D, Axial 공급자 장치 패키지 D-Pak 작동 온도-접합 -65°C ~ 175°C |
제조업체 Micro Commercial Co 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 100V 전류-평균 정류 (Io) 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 975mV @ 1A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 50ns 전류-역방향 누설 @ Vr 5µA @ 100V 커패시턴스 @ Vr, F 45pF @ 4V, 1MHz 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 DO-214AC, SMA 공급자 장치 패키지 DO-214AC 작동 온도-접합 -50°C ~ 150°C |
제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈 Automotive, AEC-Q101 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 50V 전류-평균 정류 (Io) 500mA 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.3V @ 500mA 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 150ns 전류-역방향 누설 @ Vr 5µA @ 50V 커패시턴스 @ Vr, F 4pF @ 4V, 1MHz 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 DO-219AB 공급자 장치 패키지 Sub SMA 작동 온도-접합 -55°C ~ 150°C |
제조업체 Global Power Technologies Group 시리즈 Amp+™ 다이오드 유형 Silicon Carbide Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 650V 전류-평균 정류 (Io) 30A (DC) 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.65V @ 10A 속도 No Recovery Time > 500mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 100µA @ 650V 커패시턴스 @ Vr, F 527pF @ 1V, 1MHz 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지 TO-252, (D-Pak) 작동 온도-접합 -55°C ~ 175°C |
