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SIGC158T120R3LEX1SA2

SIGC158T120R3LEX1SA2

참조 용

부품 번호 SIGC158T120R3LEX1SA2
PNEDA 부품 번호 SIGC158T120R3LEX1SA2
설명 IGBT 1200V 150A DIE
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 3,420
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 27 - 12월 2 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SIGC158T120R3LEX1SA2 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SIGC158T120R3LEX1SA2
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일

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  • SIGC158T120R3LEX1SA2 Distributor

SIGC158T120R3LEX1SA2 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
IGBT 유형Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)-
전류-수집기 펄스 (Icm)450A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 150A
전력-최대-
에너지 전환-
입력 유형Standard
게이트 차지-
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C-
테스트 조건-
역 복구 시간 (trr)-
작동 온도-
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스Die
공급자 장치 패키지Die

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

45A

전류-수집기 펄스 (Icm)

108A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 12A

전력-최대

167W

에너지 전환

55µJ (on), 100µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

23nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

6ns/40ns

테스트 조건

390V, 12A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

46ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247-3

FGY75N60SMD

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

150A

전류-수집기 펄스 (Icm)

225A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 75A

전력-최대

750W

에너지 전환

2.3mJ (on), 770µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

248nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

24ns/136ns

테스트 조건

400V, 75A, 3Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

55ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3 Variant

공급자 장치 패키지

PowerTO-247-3

IXGH40N60C

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제조업체

IXYS

시리즈

HiPerFAST™, Lightspeed™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

75A

전류-수집기 펄스 (Icm)

150A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 40A

전력-최대

250W

에너지 전환

850µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

116nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

25ns/100ns

테스트 조건

480V, 40A, 4.7Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AD (IXGH)

RGTH00TK65GC11

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

35A

전류-수집기 펄스 (Icm)

200A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 50A

전력-최대

72W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

94nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

39ns/143ns

테스트 조건

400V, 50A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

23A

전류-수집기 펄스 (Icm)

80A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.75V @ 15V, 10A

전력-최대

25W

에너지 전환

600µJ (on), 5mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

33nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

700ns/1.2µs

테스트 조건

480V, 10A, 1kOhm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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