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SIHF9630STRL-GE3

SIHF9630STRL-GE3

참조 용

부품 번호 SIHF9630STRL-GE3
PNEDA 부품 번호 SIHF9630STRL-GE3
설명 MOSFET P-CH 200V D2PAK TO-263
제조업체 Vishay Siliconix
단가 견적 요청
재고 있음 6,372
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SIHF9630STRL-GE3 리소스

브랜드 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SIHF9630STRL-GE3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
SIHF9630STRL-GE3, SIHF9630STRL-GE3 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 203.21 KB)
PDFSIHF9630STRL-GE3 데이터 시트 표지
SIHF9630STRL-GE3 데이터 시트 페이지 2 SIHF9630STRL-GE3 데이터 시트 페이지 3 SIHF9630STRL-GE3 데이터 시트 페이지 4 SIHF9630STRL-GE3 데이터 시트 페이지 5 SIHF9630STRL-GE3 데이터 시트 페이지 6 SIHF9630STRL-GE3 데이터 시트 페이지 7 SIHF9630STRL-GE3 데이터 시트 페이지 8 SIHF9630STRL-GE3 데이터 시트 페이지 9

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  • Vishay Siliconix Distributor
  • SIHF9630STRL-GE3 Price
  • SIHF9630STRL-GE3 Distributor

SIHF9630STRL-GE3 사양

제조업체Vishay Siliconix
시리즈*
FET 유형-
기술-
드레인-소스 전압 (Vdss)-
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)-
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)-
Rds On (최대) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (최대) @ Id-
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs-
Vgs (최대)-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds-
FET 기능-
전력 손실 (최대)-
작동 온도-
장착 유형-
공급자 장치 패키지-
패키지 / 케이스-

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드레인-소스 전압 (Vdss)

50V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

100mA (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.5V, 4V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

7.8Ohm @ 50mA, 4V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.3V @ 100µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

1.57nC @ 10V

Vgs (최대)

±10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

6.6pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

250mW (Ta)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

250V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

90A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

33mOhm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 3mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

640nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

23000pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

735W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

공급자 장치 패키지

SOT-227B

패키지 / 케이스

SOT-227-4, miniBLOC

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

UltraFET™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

10A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

160mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

16nC @ 10V

Vgs (최대)

±16V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

425pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

49W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

TO-252AA

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

STD6NK50ZT4

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제조업체

STMicroelectronics

시리즈

SuperMESH™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

500V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.6A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.2Ohm @ 2.8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 50µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

24.6nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

690pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

90W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

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드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

32A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

150mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 4mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

300nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5700pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

360W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

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