Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
수백만 개의 전자 부품 재고 있음. 24 시간 이내에 가격 및 리드 타임 견적.

SIHJ7N65E-T1-GE3

SIHJ7N65E-T1-GE3

참조 용

부품 번호 SIHJ7N65E-T1-GE3
PNEDA 부품 번호 SIHJ7N65E-T1-GE3
설명 MOSFET N-CH 650V POWERPAK SO-8L
제조업체 Vishay Siliconix
단가 견적 요청
재고 있음 29,418
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 21 - 3월 26 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SIHJ7N65E-T1-GE3 리소스

브랜드 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SIHJ7N65E-T1-GE3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
SIHJ7N65E-T1-GE3, SIHJ7N65E-T1-GE3 데이터 시트 (총 페이지: 11, 크기: 212.21 KB)
PDFSIHJ7N65E-T1-GE3 데이터 시트 표지
SIHJ7N65E-T1-GE3 데이터 시트 페이지 2 SIHJ7N65E-T1-GE3 데이터 시트 페이지 3 SIHJ7N65E-T1-GE3 데이터 시트 페이지 4 SIHJ7N65E-T1-GE3 데이터 시트 페이지 5 SIHJ7N65E-T1-GE3 데이터 시트 페이지 6 SIHJ7N65E-T1-GE3 데이터 시트 페이지 7 SIHJ7N65E-T1-GE3 데이터 시트 페이지 8 SIHJ7N65E-T1-GE3 데이터 시트 페이지 9 SIHJ7N65E-T1-GE3 데이터 시트 페이지 10 SIHJ7N65E-T1-GE3 데이터 시트 페이지 11

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

PNEDA는 고품질 전자 부품을 고객에게 빠르고 안정적으로 공급함으로써 업계 리더가되기 위해 노력하고 있습니다.

우리의 접근 방식은 고객에게 다음과 같은 세 가지 주요 이점을 입증하는 데 기반을두고 있습니다.

  • 신속한 대응

    저희 팀은 귀하의 요청에 신속하게 응답하고 귀하의 부품을 찾기 위해 즉시 작업을 시작합니다.

  • 보장 된 품질

    당사의 품질 관리 프로세스는 신뢰성과 성능을 보장하면서 위조품을 보호합니다.

  • 글로벌 액세스

    전 세계적으로 신뢰할 수있는 리소스 네트워크를 통해 필요한 특정 부품을 찾아 제공 할 수 있습니다.

Hot search vocabulary

  • SIHJ7N65E-T1-GE3 Datasheet
  • where to find SIHJ7N65E-T1-GE3
  • Vishay Siliconix

  • Vishay Siliconix SIHJ7N65E-T1-GE3
  • SIHJ7N65E-T1-GE3 PDF Datasheet
  • SIHJ7N65E-T1-GE3 Stock

  • SIHJ7N65E-T1-GE3 Pinout
  • Datasheet SIHJ7N65E-T1-GE3
  • SIHJ7N65E-T1-GE3 Supplier

  • Vishay Siliconix Distributor
  • SIHJ7N65E-T1-GE3 Price
  • SIHJ7N65E-T1-GE3 Distributor

SIHJ7N65E-T1-GE3 사양

제조업체Vishay Siliconix
시리즈-
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)7.9A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs598mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs44nC @ 10V
Vgs (최대)±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds820pF @ 100V
FET 기능-
전력 손실 (최대)96W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지PowerPAK® SO-8
패키지 / 케이스PowerPAK® SO-8

관심을 가질만한 제품

NTMFS4C024NT1G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

21.7A (Ta), 78A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2.8mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

30nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1972pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.57W (Ta), 33W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

5-DFN (5x6) (8-SOFL)

패키지 / 케이스

8-PowerTDFN, 5 Leads

PHD20N06T,118

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

TrenchMOS™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

55V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

18A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

77mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

11nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

422pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

51W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

DPAK

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

EKI06108

Sanken

제조업체

Sanken

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

57A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

9.2mOhm @ 28.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 650µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

38.6nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2520pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

90W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220-3

패키지 / 케이스

TO-220-3

IPI50R350CP

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

CoolMOS™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

550V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

10A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

350mOhm @ 5.6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.5V @ 370µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

25nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1020pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

89W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

PG-TO262-3

패키지 / 케이스

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

AUIRFSL4310

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

75A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

7mOhm @ 75A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

250nC @ 10V

Vgs (최대)

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

7670pF @ 50V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

300W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-262

패키지 / 케이스

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

최근 판매

LTC2870IFE#PBF

LTC2870IFE#PBF

Linear Technology/Analog Devices

IC TRANSCEIVER FULL 2/2 28TSSOP

SRDA05-4.TBT

SRDA05-4.TBT

Semtech

TVS DIODE 5V 20V 8SO

S5BC-13-F

S5BC-13-F

Diodes Incorporated

DIODE GEN PURP 100V 5A SMC

MT40A256M16GE-083E IT:B

MT40A256M16GE-083E IT:B

Micron Technology Inc.

IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

0452007.MRL

0452007.MRL

Littelfuse

FUSE BRD MNT 7A 72VAC 60VDC 2SMD

SP0503BAHT

SP0503BAHT

Littelfuse

TVS DIODE 5.5V 8.5V SOT143-4

NE3509M04-A

NE3509M04-A

CEL

FET RF 4V 2GHZ 4-SMINI

SD1127

SD1127

Microsemi

RF TRANS NPN 18V 175MHZ TO39

VMMK-1218-TR1G

VMMK-1218-TR1G

Broadcom

FET RF 5V 10GHZ 0402

AT45DB321D-SU

AT45DB321D-SU

Adesto Technologies

IC FLASH 32M SPI 66MHZ 8SOIC

ADXRS450BEYZ

ADXRS450BEYZ

Analog Devices

SENS GYRO 300DEG/S DGTL 14CLCC

ATMEGA328P-15AZ

ATMEGA328P-15AZ

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 32KB FLASH 32TQFP