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SIX3439K-TP

SIX3439K-TP

참조 용

부품 번호 SIX3439K-TP
PNEDA 부품 번호 SIX3439K-TP
설명 N/P-CHANNELMOSFETSOT-563
제조업체 Micro Commercial Co
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SIX3439K-TP 리소스

브랜드 Micro Commercial Co
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SIX3439K-TP
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
SIX3439K-TP, SIX3439K-TP 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 510.74 KB)
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SIX3439K-TP 사양

제조업체Micro Commercial Co
시리즈-
FET 유형N and P-Channel
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)750mA, 660mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs380mOhm @ 650mA, 4.5V, 520mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id1V @ 250µA, 1.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds120pF, 170pF @ 16V
전력-최대-
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지SOT-563

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Vishay Siliconix

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FET 유형

2 N-Channel (Half Bridge)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.5A, 5.7A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

23mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

8.5nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

1.1W, 1.16W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

BSL214NH6327XTSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate, 2.5V Drive

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

140mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.2V @ 3.7µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.8nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

143pF @ 10V

전력-최대

500mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

공급자 장치 패키지

PG-TSOP-6-6

FDM2509NZ

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

PowerTrench®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8.7A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

18mOhm @ 8.7A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

17nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1200pF @ 10V

전력-최대

800mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-WFDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

6-MicroFET (2x5)

SSM6P35FE,LM

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

100mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

8Ohm @ 50mA, 4V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

12.2pF @ 3V

전력-최대

150mW

작동 온도

150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-563, SOT-666

공급자 장치 패키지

ES6

APTMC120AM55CT1AG

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Half Bridge)

FET 기능

Silicon Carbide (SiC)

드레인-소스 전압 (Vdss)

1200V (1.2kV)

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

55A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

49mOhm @ 40A, 20V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 2mA (Typ)

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

98nC @ 20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1900pF @ 1000V

전력-최대

250W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

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