SIZ348DT-T1-GE3
참조 용
| 부품 번호 | SIZ348DT-T1-GE3 |
| PNEDA 부품 번호 | SIZ348DT-T1-GE3 |
| 설명 | MOSFET DUAL N-CHAN 30V POWERPAIR |
| 제조업체 | Vishay Siliconix |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 56,190 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 6월 21 - 6월 26 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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SIZ348DT-T1-GE3 리소스
| 브랜드 | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | SIZ348DT-T1-GE3 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
| 데이터 시트 |
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- SIZ348DT-T1-GE3 Distributor
SIZ348DT-T1-GE3 사양
| 제조업체 | Vishay Siliconix |
| 시리즈 | TrenchFET® Gen IV |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET 기능 | Standard |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 30V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 18A (Ta), 30A (Tc) |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 7.12mOhm @ 15A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2.4V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 18.2nC @ 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 820pF @ 15V |
| 전력-최대 | 3.7W (Ta), 16.7W (Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 8-PowerWDFN |
| 공급자 장치 패키지 | 8-Power33 (3x3) |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Micro Commercial Co 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 750mA Rds On (최대) @ Id, Vgs 380mOhm @ 650mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 20nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 120pF @ 16V 전력-최대 150mW 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지 SOT-563 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 2 P-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 2.1A Rds On (최대) @ Id, Vgs 155mOhm @ 2.1A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 6nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 300pF @ 10V 전력-최대 1.1W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SMD, Flat Lead 공급자 장치 패키지 ChipFET™ |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 95A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs 3.3mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 42nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 3600pF @ 20V 전력-최대 50W 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 PowerPAK® 8 x 8 Dual 공급자 장치 패키지 PowerPAK® 8 x 8 Dual |
제조업체 EPC 시리즈 eGaN® FET 유형 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능 GaNFET (Gallium Nitride) 드레인-소스 전압 (Vdss) 80V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 9.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs 14.5mOhm @ 20A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 2.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 2.5nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 300pF @ 40V 전력-최대 - 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 Die 공급자 장치 패키지 Die |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 * FET 유형 - FET 기능 - 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) - Rds On (최대) @ Id, Vgs - Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 - 작동 온도 - 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지 SOT-363 |
