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SIZ720DT-T1-GE3

SIZ720DT-T1-GE3

참조 용

부품 번호 SIZ720DT-T1-GE3
PNEDA 부품 번호 SIZ720DT-T1-GE3
설명 MOSFET 2N-CH 20V 16A POWERPAIR
제조업체 Vishay Siliconix
단가 견적 요청
재고 있음 6,930
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SIZ720DT-T1-GE3 리소스

브랜드 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SIZ720DT-T1-GE3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
SIZ720DT-T1-GE3, SIZ720DT-T1-GE3 데이터 시트 (총 페이지: 14, 크기: 189.9 KB)
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SIZ720DT-T1-GE3 사양

제조업체Vishay Siliconix
시리즈TrenchFET®
FET 유형2 N-Channel (Half Bridge)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)16A
Rds On (최대) @ Id, Vgs8.7mOhm @ 16.8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs23nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds825pF @ 10V
전력-최대27W, 48W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-PowerPair™
공급자 장치 패키지6-PowerPair™

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시리즈

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드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

62A, 54A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

11mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

104nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5080pF @ 25V

전력-최대

89W, 132W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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Microsemi Corporation

시리즈

-

FET 유형

4 N-Channel (H-Bridge)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

500V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

46A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

90mOhm @ 23A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 2.5mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

123nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5600pF @ 25V

전력-최대

357W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP3

공급자 장치 패키지

SP3

NTJD4105CT4G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V, 8V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

630mA, 775mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

375mOhm @ 630mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

3nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

46pF @ 20V

전력-최대

270mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

SC-88/SC70-6/SOT-363

DMP2110UVT-13

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.8A (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

150mOhm @ 2.8A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

6nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

443pF @ 6V

전력-최대

740mW (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

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Rds On (최대) @ Id, Vgs

43mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

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게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

20nC @ 4.5V

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전력-최대

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