Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
수백만 개의 전자 부품 재고 있음. 24 시간 이내에 가격 및 리드 타임 견적.

SIZ904DT-T1-GE3

SIZ904DT-T1-GE3

참조 용

부품 번호 SIZ904DT-T1-GE3
PNEDA 부품 번호 SIZ904DT-T1-GE3
설명 MOSFET 2N-CH 30V 12A POWERPAIR
제조업체 Vishay Siliconix
단가
1 ---------- $6.9087
100 ---------- $6.5848
250 ---------- $6.2610
500 ---------- $5.9371
750 ---------- $5.6673
1,000 ---------- $5.3974
재고 있음 258
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 9 - 2월 14 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SIZ904DT-T1-GE3 리소스

브랜드 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SIZ904DT-T1-GE3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
SIZ904DT-T1-GE3, SIZ904DT-T1-GE3 데이터 시트 (총 페이지: 14, 크기: 231.11 KB)
PDFSIZ904DT-T1-GE3 데이터 시트 표지
SIZ904DT-T1-GE3 데이터 시트 페이지 2 SIZ904DT-T1-GE3 데이터 시트 페이지 3 SIZ904DT-T1-GE3 데이터 시트 페이지 4 SIZ904DT-T1-GE3 데이터 시트 페이지 5 SIZ904DT-T1-GE3 데이터 시트 페이지 6 SIZ904DT-T1-GE3 데이터 시트 페이지 7 SIZ904DT-T1-GE3 데이터 시트 페이지 8 SIZ904DT-T1-GE3 데이터 시트 페이지 9 SIZ904DT-T1-GE3 데이터 시트 페이지 10 SIZ904DT-T1-GE3 데이터 시트 페이지 11

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

PNEDA는 고품질 전자 부품을 고객에게 빠르고 안정적으로 공급함으로써 업계 리더가되기 위해 노력하고 있습니다.

우리의 접근 방식은 고객에게 다음과 같은 세 가지 주요 이점을 입증하는 데 기반을두고 있습니다.

  • 신속한 대응

    저희 팀은 귀하의 요청에 신속하게 응답하고 귀하의 부품을 찾기 위해 즉시 작업을 시작합니다.

  • 보장 된 품질

    당사의 품질 관리 프로세스는 신뢰성과 성능을 보장하면서 위조품을 보호합니다.

  • 글로벌 액세스

    전 세계적으로 신뢰할 수있는 리소스 네트워크를 통해 필요한 특정 부품을 찾아 제공 할 수 있습니다.

Hot search vocabulary

  • SIZ904DT-T1-GE3 Datasheet
  • where to find SIZ904DT-T1-GE3
  • Vishay Siliconix

  • Vishay Siliconix SIZ904DT-T1-GE3
  • SIZ904DT-T1-GE3 PDF Datasheet
  • SIZ904DT-T1-GE3 Stock

  • SIZ904DT-T1-GE3 Pinout
  • Datasheet SIZ904DT-T1-GE3
  • SIZ904DT-T1-GE3 Supplier

  • Vishay Siliconix Distributor
  • SIZ904DT-T1-GE3 Price
  • SIZ904DT-T1-GE3 Distributor

SIZ904DT-T1-GE3 사양

제조업체Vishay Siliconix
시리즈TrenchFET®
FET 유형2 N-Channel (Half Bridge)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)12A, 16A
Rds On (최대) @ Id, Vgs24mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs12nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds435pF @ 15V
전력-최대20W, 33W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-PowerPair™
공급자 장치 패키지6-PowerPair™

관심을 가질만한 제품

AOC3870

Alpha & Omega Semiconductor

제조업체

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

12V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

25A (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2.8mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

32nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

2.2W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

10-SMD, No Lead

공급자 장치 패키지

10-AlphaDFN (3.01x1.52)

SI4501ADY-T1-E3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

N and P-Channel, Common Drain

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V, 8V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6.3A, 4.1A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

18mOhm @ 8.8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.8V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

20nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

1.3W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

FDMB2307NZ

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

PowerTrench®

FET 유형

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

28nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

800mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-WDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

6-MLP (2x3)

제조업체

IXYS

시리즈

GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

150V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

53A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

20mOhm @ 55A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

150nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

8600pF @ 25V

전력-최대

180W

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

i4-Pac™-5

공급자 장치 패키지

ISOPLUS i4-PAC™

IRF7750

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.7A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

30mOhm @ 4.7A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

39nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1700pF @ 15V

전력-최대

1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

8-TSSOP

최근 판매

PIC16F18323-I/SL

PIC16F18323-I/SL

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 3.5KB FLASH 14SOIC

S25FL064P0XMFI001

S25FL064P0XMFI001

Cypress Semiconductor

IC FLASH 64M SPI 104MHZ 16SOIC

LTC6652AHMS8-2.5#PBF

LTC6652AHMS8-2.5#PBF

Linear Technology/Analog Devices

IC VREF SERIES 2.5V 8MSOP

ICE3BR0665J

ICE3BR0665J

Infineon Technologies

IC OFFLINE CTRLR SMPS OTP 8DIP

MCH3478-TL-W

MCH3478-TL-W

ON Semiconductor

MOSFET N-CH 30V 2A MCPH3

ADUM1401ARWZ

ADUM1401ARWZ

Analog Devices

DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 16SOIC

KSZ9031RNXIC-TR

KSZ9031RNXIC-TR

Microchip Technology

IC TRANSCEIVER FULL 4/4 48QFN

M24512-RMC6TG

M24512-RMC6TG

STMicroelectronics

IC EEPROM 512K I2C 1MHZ 8UFDFPN

MBR0530T1G

MBR0530T1G

ON Semiconductor

DIODE SCHOTTKY 30V 500MA SOD123

D5V0L4B5SO-7

D5V0L4B5SO-7

Diodes Incorporated

TVS DIODE 5V 14V SOT353

MTA8ATF51264HZ-2G6B1

MTA8ATF51264HZ-2G6B1

Micron Technology Inc.

IC DRAM 32G PARALLEL 1333MHZ

JAN2N2222A

JAN2N2222A

Microsemi

TRANS NPN 50V 0.8A