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SJPL-H6

SJPL-H6

참조 용

부품 번호 SJPL-H6
PNEDA 부품 번호 SJPL-H6
설명 DIODE GEN PURP 600V 2A SJP
제조업체 Sanken
단가 견적 요청
재고 있음 3,654
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 29 - 12월 4 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SJPL-H6 리소스

브랜드 Sanken
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SJPL-H6
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
SJPL-H6, SJPL-H6 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 253.62 KB)
PDFSJPL-H6 데이터 시트 표지
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SJPL-H6 사양

제조업체Sanken
시리즈-
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)600V
전류-평균 정류 (Io)2A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.5V @ 2A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)50ns
전류-역방향 누설 @ Vr50µA @ 600V
커패시턴스 @ Vr, F-
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스2-SMD, J-Lead
공급자 장치 패키지SJP
작동 온도-접합-40°C ~ 150°C

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제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

다이오드 유형

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1200V

전류-평균 정류 (Io)

15A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.5V @ 15A

속도

No Recovery Time > 500mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

0ns

전류-역방향 누설 @ Vr

90µA @ 1200V

커패시턴스 @ Vr, F

1200pF @ 0V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-2

공급자 장치 패키지

TO-220AC

작동 온도-접합

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Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

TMBS®

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

120V

전류-평균 정류 (Io)

30A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.28V @ 30A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

500µA @ 120V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

TO-263AB

작동 온도-접합

-40°C ~ 150°C

SS25LHRVG

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

Automotive, AEC-Q101

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

50V

전류-평균 정류 (Io)

2A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

700mV @ 2A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

400µA @ 50V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-219AB

공급자 장치 패키지

Sub SMA

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

SF801GHC0G

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

Automotive, AEC-Q101

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

50V

전류-평균 정류 (Io)

8A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

975mV @ 8A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

35ns

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 50V

커패시턴스 @ Vr, F

70pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220AB

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

UF4005 R1G

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.7V @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

75ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 600V

커패시턴스 @ Vr, F

17pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

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