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SKW20N60HSFKSA1

SKW20N60HSFKSA1

참조 용

부품 번호 SKW20N60HSFKSA1
PNEDA 부품 번호 SKW20N60HSFKSA1
설명 IGBT 600V 36A 178W TO247-3
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 3,762
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 27 - 12월 2 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SKW20N60HSFKSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SKW20N60HSFKSA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
SKW20N60HSFKSA1, SKW20N60HSFKSA1 데이터 시트 (총 페이지: 14, 크기: 346.46 KB)
PDFSKW20N60HSFKSA1 데이터 시트 표지
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  • SKW20N60HSFKSA1 Distributor

SKW20N60HSFKSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
IGBT 유형NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)36A
전류-수집기 펄스 (Icm)80A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic3.15V @ 15V, 20A
전력-최대178W
에너지 전환690µJ
입력 유형Standard
게이트 차지100nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C18ns/207ns
테스트 조건400V, 20A, 16Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)130ns
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-247-3
공급자 장치 패키지PG-TO247-3

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제조업체

Infineon Technologies

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IGBT 유형

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

79A

전류-수집기 펄스 (Icm)

160A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 40A

전력-최대

230W

에너지 전환

860µJ (on), 400µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

95nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

19ns/130ns

테스트 조건

400V, 40A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

73ns

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

PG-TO247-3

IRG4BC30W-STRL

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

23A

전류-수집기 펄스 (Icm)

92A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 12A

전력-최대

100W

에너지 전환

130µJ (on), 130µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

51nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

25ns/99ns

테스트 조건

480V, 12A, 23Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

D2PAK

APT65GP60B2G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

POWER MOS 7®

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

100A

전류-수집기 펄스 (Icm)

250A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 65A

전력-최대

833W

에너지 전환

605µJ (on), 896µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

210nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

30ns/91ns

테스트 조건

400V, 65A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3 Variant

공급자 장치 패키지

-

AUIRGS30B60KTRL

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

78A

전류-수집기 펄스 (Icm)

120A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.35V @ 15V, 30A

전력-최대

370W

에너지 전환

350µJ (on), 825µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

102nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

46ns/185ns

테스트 조건

400V, 30A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

D2PAK

SGL40N150DTU

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1500V

전류-수집기 (Ic) (최대)

40A

전류-수집기 펄스 (Icm)

120A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

4.7V @ 15V, 40A

전력-최대

200W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

140nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

300ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-264-3, TO-264AA

공급자 장치 패키지

TO-264-3

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