SLA5059
참조 용
| 부품 번호 | SLA5059 |
| PNEDA 부품 번호 | SLA5059 |
| 설명 | MOSFET 3N/3P-CH 60V 4A 12-SIP |
| 제조업체 | Sanken |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 6,912 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 4월 13 - 4월 18 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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SLA5059 리소스
| 브랜드 | Sanken |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | SLA5059 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
| 데이터 시트 |
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SLA5059 사양
| 제조업체 | Sanken |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge) |
| FET 기능 | Logic Level Gate |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 60V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 4A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 550mOhm @ 2A, 4V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | - |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 150pF @ 10V |
| 전력-최대 | 5W |
| 작동 온도 | 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 패키지 / 케이스 | 12-SIP |
| 공급자 장치 패키지 | 12-SIP w/fin |
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제조업체 Alpha & Omega Semiconductor Inc. 시리즈 - FET 유형 2 P-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 6A Rds On (최대) @ Id, Vgs 35mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 16nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 760pF @ 15V 전력-최대 2W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SO |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 QFET® FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V, 300V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 1.3A, 300mA Rds On (최대) @ Id, Vgs 550mOhm @ 650mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 1.95V @ 20mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 2.1nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 2W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SOIC |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 CoolSiC™+ FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Silicon Carbide (SiC) 드레인-소스 전압 (Vdss) 1200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 25A (Tj) Rds On (최대) @ Id, Vgs 45mOhm @ 25A, 15V (Typ) Vgs (th) (최대) @ Id 5.55V @ 10mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 62nC @ 15V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1840pF @ 800V 전력-최대 20mW 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 Module 공급자 장치 패키지 AG-EASY1BM-2 |
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