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SLA5073

SLA5073

참조 용

부품 번호 SLA5073
PNEDA 부품 번호 SLA5073
설명 MOSFET 6N-CH 60V 5A 15-SIP
제조업체 Sanken
단가 견적 요청
재고 있음 8,148
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SLA5073 리소스

브랜드 Sanken
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SLA5073
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
SLA5073, SLA5073 데이터 시트 (총 페이지: 2, 크기: 535.73 KB)
PDFSLA5073 데이터 시트 표지
SLA5073 데이터 시트 페이지 2

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SLA5073 사양

제조업체Sanken
시리즈-
FET 유형6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs300mOhm @ 3A, 4V
Vgs (th) (최대) @ Id2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds320pF @ 10V
전력-최대5W
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스15-SIP Exposed Tab, Formed Leads
공급자 장치 패키지15-ZIP

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40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7.6A, 7.9A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

27mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

32nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

855pF @ 20V

전력-최대

3.1W, 3.2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

2N7002DWA-7

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

180mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

6Ohm @ 115mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.87nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

22pF @ 25V

전력-최대

300mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

SOT-363

EFC6602R-A-TR

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET 기능

Logic Level Gate, 2.5V Drive

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

55nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

2W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-XFBGA, FCBGA

공급자 장치 패키지

EFCP2718-6CE-020

IRFI4024H-117P

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

55V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

11A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

60mOhm @ 7.7A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 25µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

13nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

320pF @ 50V

전력-최대

14W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-5 Full Pack

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TO-220-5 Full-Pak

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제조업체

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시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

1.4V @ 310µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

9nC @ 4V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

910pF @ 10V

전력-최대

1.5W (Ta)

작동 온도

150°C

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Surface Mount

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