SLA5085
참조 용
| 부품 번호 | SLA5085 |
| PNEDA 부품 번호 | SLA5085 |
| 설명 | MOSFET 5N-CH 60V 10A 12-SIP |
| 제조업체 | Sanken |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 17,952 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 6월 15 - 6월 20 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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SLA5085 리소스
| 브랜드 | Sanken |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | SLA5085 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
| 데이터 시트 |
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SLA5085 사양
| 제조업체 | Sanken |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | 5 N-Channel, Common Source |
| FET 기능 | Logic Level Gate |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 60V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 10A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 220mOhm @ 3A, 4V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | - |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 320pF @ 10V |
| 전력-최대 | 5W |
| 작동 온도 | 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 패키지 / 케이스 | 12-SIP |
| 공급자 장치 패키지 | 12-SIP w/fin |
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제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 150A Rds On (최대) @ Id, Vgs 28mOhm @ 75A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 5V @ 6mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 434nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 19600pF @ 25V 전력-최대 1250W 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 SP6 공급자 장치 패키지 SP6 |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® FET 유형 2 P-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 2.1A Rds On (최대) @ Id, Vgs 110mOhm @ 2.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 7.5nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 830mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 공급자 장치 패키지 6-TSOP |
제조업체 Nexperia USA Inc. 시리즈 - FET 유형 2 P-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 410mA Rds On (최대) @ Id, Vgs 1.4Ohm @ 410mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 950mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 1.2nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 43.2pF @ 15V 전력-최대 285mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-XFDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지 DFN1010B-6 |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® FET 유형 2 P-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 4.1A Rds On (최대) @ Id, Vgs 30mOhm @ 4.8A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 450mV @ 250µA (Min) 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 30nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 830mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지 8-TSSOP |
