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SMBG4734CE3/TR13

SMBG4734CE3/TR13

참조 용

부품 번호 SMBG4734CE3/TR13
PNEDA 부품 번호 SMBG4734CE3-TR13
설명 DIODE ZENER 5.6V 2W SMBG
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 5,238
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SMBG4734CE3/TR13 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SMBG4734CE3/TR13
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일

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SMBG4734CE3/TR13 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈-
전압-제너 (Nom) (Vz)5.6V
공차±2%
전력-최대2W
임피던스 (최대) (Zzt)5 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr10µA @ 2V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.2V @ 200mA
작동 온도-65°C ~ 150°C
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스DO-215AA, SMB Gull Wing
공급자 장치 패키지SMBG (DO-215AA)

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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전압-제너 (Nom) (Vz)

2.7V

공차

±2%

전력-최대

300mW

임피던스 (최대) (Zzt)

100 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

20µA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3

1N5365AE3/TR8

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

36V

공차

±10%

전력-최대

5W

임피던스 (최대) (Zzt)

11 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 25.9V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 1A

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

T-18, Axial

공급자 장치 패키지

T-18

TSZU52C8V2 RGG

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

8.2V

공차

±5%

전력-최대

150mW

임피던스 (최대) (Zzt)

7 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 6V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

900mV @ 10mA

작동 온도

-55°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

0603 (1608 Metric)

공급자 장치 패키지

0603

1N5235B-T

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

6.8V

공차

±5%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

5 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

3µA @ 5V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 200°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35

1PMT4133E3/TR7

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

POWERMITE®

전압-제너 (Nom) (Vz)

87V

공차

±5%

전력-최대

1W

임피던스 (최대) (Zzt)

250 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

10nA @ 66.12V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 200mA

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-216AA

공급자 장치 패키지

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