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SMMBT2369ALT1G

SMMBT2369ALT1G

참조 용

부품 번호 SMMBT2369ALT1G
PNEDA 부품 번호 SMMBT2369ALT1G
설명 TRANS NPN 15V 0.2A SOT23
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 22,590
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 22 - 6월 27 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SMMBT2369ALT1G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SMMBT2369ALT1G
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
SMMBT2369ALT1G, SMMBT2369ALT1G 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 127.56 KB)
PDFMMBT2369ALT3G 데이터 시트 표지
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SMMBT2369ALT1G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
트랜지스터 유형NPN
전류-수집기 (Ic) (최대)200mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)15V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic500mV @ 10mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대)400nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce20 @ 100mA, 1V
전력-최대225mW
주파수-전환-
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지SOT-23-3 (TO-236)

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전류-수집기 (Ic) (최대)

500mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

45V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

700mV @ 50mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 100mA, 1V

전력-최대

625mW

주파수-전환

80MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

공급자 장치 패키지

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제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

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트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

50mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

120V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 1mA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

180 @ 2mA, 6V

전력-최대

300mW

주파수-전환

140MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

SC-72 Formed Leads

공급자 장치 패키지

SPT

2SD2018

Panasonic Electronic Components

제조업체

Panasonic Electronic Components

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN - Darlington

전류-수집기 (Ic) (최대)

1A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

60V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.8V @ 1mA, 1A

전류-수집기 차단 (최대)

1µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

6500 @ 1A, 10V

전력-최대

5W

주파수-전환

-

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-225AA, TO-126-3

공급자 장치 패키지

TO-126B-A1

MJE13002B-AP

Micro Commercial Co

제조업체

Micro Commercial Co

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

800mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

400V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 40mA, 200mA

전류-수집기 차단 (최대)

100µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

9 @ 200mA, 10V

전력-최대

900mW

주파수-전환

5MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

TO-92

JANTXV2N3635L

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

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트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

1A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

140V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

600mV @ 5mA, 50mA

전류-수집기 차단 (최대)

10µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 50mA, 10V

전력-최대

1W

주파수-전환

-

작동 온도

-65°C ~ 200°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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TO-205AA, TO-5-3 Metal Can

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