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SP8K31TB1

SP8K31TB1

참조 용

부품 번호 SP8K31TB1
PNEDA 부품 번호 SP8K31TB1
설명 MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8SOIC
제조업체 Rohm Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 8,352
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SP8K31TB1 리소스

브랜드 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SP8K31TB1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
SP8K31TB1, SP8K31TB1 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 99.1 KB)
PDFSP8K31TB1 데이터 시트 표지
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  • SP8K31TB1 Distributor

SP8K31TB1 사양

제조업체Rohm Semiconductor
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)3.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs120mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs5.2nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds250pF @ 10V
전력-최대2W
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SOP

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드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.1A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

53mOhm @ 3.4A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA (Min)

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

16nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

830mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

8-TSSOP

FDJ1028N

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.2A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

90mOhm @ 3.2A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

3nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

200pF @ 10V

전력-최대

1.5W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC75-6 FLMP

공급자 장치 패키지

SC75-6 FLMP

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시리즈

-

FET 유형

4 N-Channel (H-Bridge)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

200V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

89A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

24mOhm @ 44.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 2.5mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

112nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

6850pF @ 25V

전력-최대

357W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP4

공급자 장치 패키지

SP4

QS8M31TR

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3A (Ta), 2A (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

112mOhm @ 3A, 10V, 210mOhm @ 2A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 1mA, 3V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

4nC, 7.2nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

270pF, 750pF @ 10V

전력-최대

1.1W (Ta)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SMD, Flat Lead

공급자 장치 패키지

TSMT8

STS7C4F30L

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

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FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7A, 4A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

22mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

23nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1050pF @ 25V

전력-최대

2W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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8-SO

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