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SP8M10FU6TB

SP8M10FU6TB

참조 용

부품 번호 SP8M10FU6TB
PNEDA 부품 번호 SP8M10FU6TB
설명 MOSFET N/P-CH 30V 7A/4.5A 8SOIC
제조업체 Rohm Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 8,622
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 13 - 4월 18 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SP8M10FU6TB 리소스

브랜드 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SP8M10FU6TB
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
SP8M10FU6TB, SP8M10FU6TB 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 77.55 KB)
PDFSP8M10FU6TB 데이터 시트 표지
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SP8M10FU6TB 사양

제조업체Rohm Semiconductor
시리즈-
FET 유형N and P-Channel
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)7A, 4.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs24mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs11.8nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds600pF @ 10V
전력-최대2W
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SOP

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드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

35.5mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

12nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

445pF @ 15V

전력-최대

2.7W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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FET 유형

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FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.2A (Ta), 6.1A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

40.9mOhm @ 5.2A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

10nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

350pF @ 30V

전력-최대

2W (Ta), 2.8W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

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FET 유형

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FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

9.2A (Ta), 33.2A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

19mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

17nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

864pF @ 30V

전력-최대

2.5W (Ta), 37.5W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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FET 유형

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FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

16A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

12mOhm @ 13.8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

21nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

790pF @ 15V

전력-최대

27W, 30W

작동 온도

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Rds On (최대) @ Id, Vgs

4Ohm @ 10mA, 4V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 100µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

7.8pF @ 3V

전력-최대

150mW

작동 온도

150°C (TJ)

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