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SP8M7TB

SP8M7TB

참조 용

부품 번호 SP8M7TB
PNEDA 부품 번호 SP8M7TB
설명 MOSFET N/P-CH 30V 5A/7A 8SOIC
제조업체 Rohm Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 6,336
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 9월 24 - 9월 29 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SP8M7TB 리소스

브랜드 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SP8M7TB
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
SP8M7TB, SP8M7TB 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 77.13 KB)
PDFSP8M7FU6TB 데이터 시트 표지
SP8M7FU6TB 데이터 시트 페이지 2 SP8M7FU6TB 데이터 시트 페이지 3 SP8M7FU6TB 데이터 시트 페이지 4 SP8M7FU6TB 데이터 시트 페이지 5 SP8M7FU6TB 데이터 시트 페이지 6

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SP8M7TB 사양

제조업체Rohm Semiconductor
시리즈-
FET 유형N and P-Channel
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)5A, 7A
Rds On (최대) @ Id, Vgs51mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs5.5nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds230pF @ 10V
전력-최대2W
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SOP

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Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

35mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

44nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1464pF @ 25V

전력-최대

1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

8-TSSOP

SSM6N67NU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate, 1.8V Drive

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4A (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

39.1mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

3.2nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

310pF @ 15V

전력-최대

2W (Ta)

작동 온도

150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-WDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

6-UDFN (2x2)

SIA907EDJT-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.5A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

57mOhm @ 3.6A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

23nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

7.8W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

PowerPAK® SC-70-6 Dual

공급자 장치 패키지

PowerPAK® SC-70-6 Dual

APTM10HM19FT3G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

FET 유형

4 N-Channel (H-Bridge)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

70A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

21mOhm @ 35A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

200nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5100pF @ 25V

전력-최대

208W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP3

공급자 장치 패키지

SP3

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Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

190mOhm @ 1.3A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.8V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

2nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

87pF @ 20V

전력-최대

320mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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