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SP8M9TB

SP8M9TB

참조 용

부품 번호 SP8M9TB
PNEDA 부품 번호 SP8M9TB
설명 MOSFET N/P-CH 30V 9A/5A 8SOIC
제조업체 Rohm Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 6,282
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 14 - 2월 19 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SP8M9TB 리소스

브랜드 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SP8M9TB
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
SP8M9TB, SP8M9TB 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 77.7 KB)
PDFSP8M9FU6TB 데이터 시트 표지
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  • SP8M9TB Distributor

SP8M9TB 사양

제조업체Rohm Semiconductor
시리즈-
FET 유형N and P-Channel
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)9A, 5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs18mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs21nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds1190pF @ 10V
전력-최대2W
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SOP

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제조업체

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시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

50V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

510mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2Ohm @ 510mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

1nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

20pF @ 25V

전력-최대

700mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

공급자 장치 패키지

SuperSOT™-6

CSD85302LT

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제조업체

시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

7.8nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

1.7W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

4-XFLGA

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Central Semiconductor Corp

제조업체

Central Semiconductor Corp

시리즈

-

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.2A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

70mOhm @ 4.2A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

6.4nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

760pF @ 15V

전력-최대

1.65W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

TLM832DS

ECH8653-S-TL-H

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

-

FET 기능

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

-

작동 온도

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SMD, Flat Lead

공급자 장치 패키지

8-ECH

NTGD3148NT1G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

70mOhm @ 3.5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

3.8nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

300pF @ 10V

전력-최대

900mW

작동 온도

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장착 유형

Surface Mount

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