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SQJ500EPTR

SQJ500EPTR

참조 용

부품 번호 SQJ500EPTR
PNEDA 부품 번호 SQJ500EPTR
설명 MOSFET N/P-CH 40V DPAK
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 7,956
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 12 - 6월 17 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SQJ500EPTR 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SQJ500EPTR
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

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SQJ500EPTR 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
FET 유형-
FET 기능-
드레인-소스 전압 (Vdss)-
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)-
Rds On (최대) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (최대) @ Id-
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds-
전력-최대-
작동 온도-
장착 유형-
패키지 / 케이스-
공급자 장치 패키지-

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

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드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

43A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

10mOhm @ 26A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.9V @ 25µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

33nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1060pF @ 25V

전력-최대

34W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerTDFN

공급자 장치 패키지

PQFN (5x6)

VMM300-03F

IXYS

제조업체

IXYS

시리즈

HiPerFET™

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

300V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

290A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

8.6mOhm @ 145A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 30mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

1440nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

40000pF @ 25V

전력-최대

1500W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Y3-DCB

공급자 장치 패키지

Y3-DCB

BUK7K25-40E,115

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

27A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

25mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

7.9nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

525pF @ 25V

전력-최대

32W

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-1205, 8-LFPAK56

공급자 장치 패키지

LFPAK56D

EFC4619R-TR

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate, 2.5V Drive

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

21.7nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

1.6W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

4-XFBGA, FCBGA

공급자 장치 패키지

EFCP1616-4CE-022

DMN65D8LDWQ-13

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

*

FET 유형

-

FET 기능

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

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