SQJQ960EL-T1_GE3
참조 용
| 부품 번호 | SQJQ960EL-T1_GE3 |
| PNEDA 부품 번호 | SQJQ960EL-T1_GE3 |
| 설명 | MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK8X8 |
| 제조업체 | Vishay Siliconix |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 29,598 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 3월 15 - 3월 20 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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SQJQ960EL-T1_GE3 리소스
| 브랜드 | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | SQJQ960EL-T1_GE3 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
| 데이터 시트 |
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SQJQ960EL-T1_GE3 사양
| 제조업체 | Vishay Siliconix |
| 시리즈 | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET 기능 | Standard |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 60V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 63A (Tc) |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 9mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 24nC @ 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1950pF @ 25V |
| 전력-최대 | 71W |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | PowerPAK® 8 x 8 Dual |
| 공급자 장치 패키지 | PowerPAK® 8 x 8 Dual |
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제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 6.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs 41mOhm @ 5.3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 25nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 840pF @ 30V 전력-최대 3.7W 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SO |
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