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SR105HR1G

SR105HR1G

참조 용

부품 번호 SR105HR1G
PNEDA 부품 번호 SR105HR1G
설명 DIODE SCHOTTKY 50V 1A DO204AL
제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation
단가 견적 요청
재고 있음 6,606
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 1월 22 - 1월 27 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SR105HR1G 리소스

브랜드 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SR105HR1G
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글

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SR105HR1G 사양

제조업체Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈Automotive, AEC-Q101
다이오드 유형Schottky
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)50V
전류-평균 정류 (Io)1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If700mV @ 1A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr500µA @ 50V
커패시턴스 @ Vr, F-
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스DO-204AL, DO-41, Axial
공급자 장치 패키지DO-204AL (DO-41)
작동 온도-접합-55°C ~ 150°C

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1000V

전류-평균 정류 (Io)

1.8A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.9V @ 4A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

120ns

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 1000V

커패시턴스 @ Vr, F

55pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

TO-277A (SMPC)

작동 온도-접합

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Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

20V

전류-평균 정류 (Io)

2A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

500mV @ 2A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

400µA @ 20V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-219AB

공급자 장치 패키지

Sub SMA

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

RS1GLHM2G

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

Automotive, AEC-Q101

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

400V

전류-평균 정류 (Io)

800mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 800mA

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

150ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 400V

커패시턴스 @ Vr, F

10pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-219AB

공급자 장치 패키지

Sub SMA

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

RS1JL RQG

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

800mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 800mA

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

250ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 600V

커패시턴스 @ Vr, F

10pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-219AB

공급자 장치 패키지

Sub SMA

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

LSM335J/TR13

Microsemi

제조업체

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시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

35V

전류-평균 정류 (Io)

3A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

520mV @ 3A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1.5mA @ 35V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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