SS15LHRTG
참조 용
| 부품 번호 | SS15LHRTG |
| PNEDA 부품 번호 | SS15LHRTG |
| 설명 | DIODE SCHOTTKY 50V 1A SUB SMA |
| 제조업체 | Taiwan Semiconductor Corporation |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 2,790 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 5월 3 - 5월 8 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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SS15LHRTG 리소스
| 브랜드 | Taiwan Semiconductor Corporation |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | SS15LHRTG |
| 분류 | 반도체 › 다이오드 및 정류기 › 정류기-싱글 |
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SS15LHRTG 사양
| 제조업체 | Taiwan Semiconductor Corporation |
| 시리즈 | Automotive, AEC-Q101 |
| 다이오드 유형 | Schottky |
| 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) | 50V |
| 전류-평균 정류 (Io) | 1A |
| 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If | 700mV @ 1A |
| 속도 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| 역 복구 시간 (trr) | - |
| 전류-역방향 누설 @ Vr | 400µA @ 50V |
| 커패시턴스 @ Vr, F | - |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | DO-219AB |
| 공급자 장치 패키지 | Sub SMA |
| 작동 온도-접합 | -55°C ~ 150°C |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 800V 전류-평균 정류 (Io) 1.5A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.1V @ 1.5A 속도 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 1µA @ 800V 커패시턴스 @ Vr, F 10pF @ 4V, 1MHz 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOD-123W 공급자 장치 패키지 SOD123W 작동 온도-접합 -55°C ~ 175°C |
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 eSMP® 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 600V 전류-평균 정류 (Io) 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.2V @ 1A 속도 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 650ns 전류-역방향 누설 @ Vr 1µA @ 600V 커패시턴스 @ Vr, F 4pF @ 4V, 1MHz 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 MicroSMP 공급자 장치 패키지 MicroSMP (DO-219AD) 작동 온도-접합 -55°C ~ 175°C |
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 - 다이오드 유형 Standard, Reverse Polarity 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 800V 전류-평균 정류 (Io) 40A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.3V @ 125A 속도 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr - 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Chassis, Stud Mount 패키지 / 케이스 DO-203AB, DO-5, Stud 공급자 장치 패키지 DO-203AB (DO-5) 작동 온도-접합 -65°C ~ 190°C |
제조업체 Littelfuse Inc. 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 600V 전류-평균 정류 (Io) 9.5A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.6V @ 9.5A 속도 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 4µs 전류-역방향 누설 @ Vr 10µA @ 600V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-220-3 Isolated Tab 공급자 장치 패키지 TO-220 Isolated Tab 작동 온도-접합 -40°C ~ 125°C |
제조업체 GeneSiC Semiconductor 시리즈 - 다이오드 유형 Standard, Reverse Polarity 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 100V 전류-평균 정류 (Io) 12A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 800mV @ 12A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 200ns 전류-역방향 누설 @ Vr 25µA @ 100V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Chassis, Stud Mount 패키지 / 케이스 DO-203AA, DO-4, Stud 공급자 장치 패키지 DO-4 작동 온도-접합 -65°C ~ 150°C |
