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SS29HE3/5BT

SS29HE3/5BT

참조 용

부품 번호 SS29HE3/5BT
PNEDA 부품 번호 SS29HE3-5BT
설명 DIODE SCHOTTKY 90V 1.5A DO214AA
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가 견적 요청
재고 있음 2,880
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 9 - 4월 14 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SS29HE3/5BT 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SS29HE3/5BT
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
SS29HE3/5BT, SS29HE3/5BT 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 85.92 KB)
PDFSS29HE3/52T 데이터 시트 표지
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  • SS29HE3/5BT Distributor

SS29HE3/5BT 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈-
다이오드 유형Schottky
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)90V
전류-평균 정류 (Io)1.5A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If750mV @ 1A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr30µA @ 90V
커패시턴스 @ Vr, F-
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스DO-214AA, SMB
공급자 장치 패키지DO-214AA (SMB)
작동 온도-접합-55°C ~ 150°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

75V

전류-평균 정류 (Io)

150mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 100mA

속도

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

역 복구 시간 (trr)

8ns

전류-역방향 누설 @ Vr

25nA @ 20V

커패시턴스 @ Vr, F

4pF @ 0V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

2-SMD, No Lead

공급자 장치 패키지

MicroMELF

작동 온도-접합

175°C (Max)

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Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

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다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

300V

전류-평균 정류 (Io)

3A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.25V @ 3A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

50ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 300V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-201AA, DO-27, Axial

공급자 장치 패키지

GP20

작동 온도-접합

-65°C ~ 150°C

D56S45CS02PRXPSA1

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

4500V

전류-평균 정류 (Io)

102A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

4.5V @ 320A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

3.3µs

전류-역방향 누설 @ Vr

5mA @ 4500V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Stud Mount

패키지 / 케이스

DO-205AA, DO-8, Stud

공급자 장치 패키지

-

작동 온도-접합

125°C (Max)

1N3265R

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

*

다이오드 유형

-

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

-

전류-평균 정류 (Io)

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

속도

-

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

작동 온도-접합

-

1N5822US

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

40V

전류-평균 정류 (Io)

3A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

500mV @ 3A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

100µA @ 40V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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