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SS320 M6G

SS320 M6G

참조 용

부품 번호 SS320 M6G
PNEDA 부품 번호 SS320-M6G
설명 DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation
단가 견적 요청
재고 있음 8,064
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 26 - 12월 1 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SS320 M6G 리소스

브랜드 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SS320 M6G
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글

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SS320 M6G 사양

제조업체Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈-
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)200V
전류-평균 정류 (Io)3A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If850mV @ 3A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr100µA @ 200V
커패시턴스 @ Vr, F-
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스DO-214AB, SMC
공급자 장치 패키지DO-214AB (SMC)
작동 온도-접합-55°C ~ 150°C

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전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

970mV @ 1A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 100V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

Axial

공급자 장치 패키지

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Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

50V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

200ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 50V

커패시턴스 @ Vr, F

10pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-204AL (DO-41)

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제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

120V

전류-평균 정류 (Io)

20A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

930mV @ 20A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

20µA @ 120V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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다이오드 유형

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

400V

전류-평균 정류 (Io)

2.1A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

920mV @ 1.5A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

1.2µs

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 400V

커패시턴스 @ Vr, F

37pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

TO-277A (SMPC)

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Sanken

제조업체

Sanken

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

600mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.5V @ 600mA

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

1.5µs

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 600V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

Axial

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작동 온도-접합

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