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SS36-M3/9AT

SS36-M3/9AT

참조 용

부품 번호 SS36-M3/9AT
PNEDA 부품 번호 SS36-M3-9AT
설명 DIODE SCHOTTKY 3A 60V DO-214AB
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가 견적 요청
재고 있음 3,348
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 31 - 1월 5 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SS36-M3/9AT 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SS36-M3/9AT
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
SS36-M3/9AT, SS36-M3/9AT 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 90 KB)
PDFSS36-7001HE3_A/I 데이터 시트 표지
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  • SS36-M3/9AT Distributor

SS36-M3/9AT 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈-
다이오드 유형Schottky
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)60V
전류-평균 정류 (Io)3A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If750mV @ 3A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr500µA @ 60V
커패시턴스 @ Vr, F-
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스DO-214AB, SMC
공급자 장치 패키지DO-214AB (SMC)
작동 온도-접합-55°C ~ 150°C

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제조업체

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시리즈

*

다이오드 유형

-

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

-

전류-평균 정류 (Io)

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

속도

-

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

작동 온도-접합

-

BYG10D-E3/TR3

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Avalanche

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io)

1.5A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.15V @ 1.5A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

4µs

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 200V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AC, SMA

공급자 장치 패키지

DO-214AC (SMA)

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

CD1005-B0130

Bourns

제조업체

Bourns Inc.

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

30V

전류-평균 정류 (Io)

100mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

440mV @ 100mA

속도

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

30µA @ 30V

커패시턴스 @ Vr, F

9pF @ 10V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

1005 (2512 Metric)

공급자 장치 패키지

1005

작동 온도-접합

-40°C ~ 125°C

VIT2080S-E3/4W

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

80V

전류-평균 정류 (Io)

20A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

920mV @ 20A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

700µA @ 80V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

공급자 장치 패키지

TO-262AA

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

1N1186

GeneSiC Semiconductor

제조업체

GeneSiC Semiconductor

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io)

35A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 35A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 50V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Chassis, Stud Mount

패키지 / 케이스

DO-203AB, DO-5, Stud

공급자 장치 패키지

DO-5

작동 온도-접합

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