SSM3J112TU,LF
참조 용
| 부품 번호 | SSM3J112TU,LF |
| PNEDA 부품 번호 | SSM3J112TU-LF |
| 설명 | X34 PB-F UFM S-MOS (LF) TRANSIST |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 5,454 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 11월 26 - 12월 1 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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SSM3J112TU 리소스
| 브랜드 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | SSM3J112TU,LF |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
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SSM3J112TU 사양
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | P-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 30V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 1.1A (Ta) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4V, 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 390mOhm @ 500mA, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 1.8V @ 100µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | - |
| Vgs (최대) | ±20V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 86pF @ 15V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 800mW (Ta) |
| 작동 온도 | 150°C |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 공급자 장치 패키지 | UFM |
| 패키지 / 케이스 | 3-SMD, Flat Leads |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 STMicroelectronics 시리즈 STripFET™ II FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 55A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V, 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs 18mOhm @ 27.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4.7V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 37nC @ 4.5V Vgs (최대) ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1700pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 95W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 D2PAK 패키지 / 케이스 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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