SSM3J145TU,LF
참조 용
부품 번호 | SSM3J145TU,LF |
PNEDA 부품 번호 | SSM3J145TU-LF |
설명 | SMALL SIGNAL MOSFET P-CH VDSS:-2 |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage |
단가 | 견적 요청 |
재고 있음 | 24,846 |
창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
예상 배송 | 11월 27 - 12월 2 (신속 배송 선택) |
Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
SSM3J145TU 리소스
브랜드 | Toshiba Semiconductor and Storage |
ECAD Module | |
Mfr. 부품 번호 | SSM3J145TU,LF |
분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
PNEDA는 고품질 전자 부품을 고객에게 빠르고 안정적으로 공급함으로써 업계 리더가되기 위해 노력하고 있습니다.
우리의 접근 방식은 고객에게 다음과 같은 세 가지 주요 이점을 입증하는 데 기반을두고 있습니다.
신속한 대응
저희 팀은 귀하의 요청에 신속하게 응답하고 귀하의 부품을 찾기 위해 즉시 작업을 시작합니다.
보장 된 품질
당사의 품질 관리 프로세스는 신뢰성과 성능을 보장하면서 위조품을 보호합니다.
글로벌 액세스
전 세계적으로 신뢰할 수있는 리소스 네트워크를 통해 필요한 특정 부품을 찾아 제공 할 수 있습니다.
Hot search vocabulary
- SSM3J145TU,LF Datasheet
- where to find SSM3J145TU,LF
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J145TU,LF
- SSM3J145TU,LF PDF Datasheet
- SSM3J145TU,LF Stock
- SSM3J145TU,LF Pinout
- Datasheet SSM3J145TU,LF
- SSM3J145TU,LF Supplier
- Toshiba Semiconductor and Storage Distributor
- SSM3J145TU,LF Price
- SSM3J145TU,LF Distributor
SSM3J145TU 사양
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage |
시리즈 | U-MOSVI |
FET 유형 | P-Channel |
기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
드레인-소스 전압 (Vdss) | 20V |
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 3A (Ta) |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 1.5V, 4.5V |
Rds On (최대) @ Id, Vgs | 103mOhm @ 1A, 4.5V |
Vgs (th) (최대) @ Id | 1V @ 1mA |
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 4.6nC @ 4.5V |
Vgs (최대) | +6V, -8V |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 270pF @ 10V |
FET 기능 | - |
전력 손실 (최대) | 500mW (Ta) |
작동 온도 | 150°C |
장착 유형 | Surface Mount |
공급자 장치 패키지 | UFM |
패키지 / 케이스 | 3-SMD, Flat Leads |
관심을 가질만한 제품
Diodes Incorporated 제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 3.1A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 120mOhm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 5.7nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 330pF @ 40V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 2W (Ta) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 SOT-223 패키지 / 케이스 TO-261-4, TO-261AA |
Vishay Siliconix 제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 - FET 유형 P-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 12A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 300mOhm @ 7.2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 38nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 860pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 3.7W (Ta), 88W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 D2PAK 패키지 / 케이스 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
IXYS 제조업체 IXYS 시리즈 HiPerFET™ FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 26A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 250mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4.5V @ 4mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 200nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 5100pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 360W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-247AD (IXFH) 패키지 / 케이스 TO-247-3 |
Infineon Technologies 제조업체 Infineon Technologies 시리즈 OptiMOS™ FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 42A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 12.9mOhm @ 21A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2V @ 37µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 30.5nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1130pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 83W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 PG-TO220-3-1 패키지 / 케이스 TO-220-3 |
IXYS 제조업체 IXYS 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 800mA (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) - Rds On (최대) @ Id, Vgs 4.6Ohm @ 400mA, 0V Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 12.7nC @ 5V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 312pF @ 25V FET 기능 Depletion Mode 전력 손실 (최대) 60W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 TO-252, (D-Pak) 패키지 / 케이스 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |