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SSM6N36FE,LM

SSM6N36FE,LM

참조 용

부품 번호 SSM6N36FE,LM
PNEDA 부품 번호 SSM6N36FE-LM
설명 MOSFET 2N-CH 20V 0.5A ES6
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
단가 견적 요청
재고 있음 2,448
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 25 - 12월 30 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SSM6N36FE 리소스

브랜드 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SSM6N36FE,LM
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

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SSM6N36FE 사양

제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)500mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs630mOhm @ 200mA, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id1V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs1.23nC @ 4V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds46pF @ 10V
전력-최대150mW
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지ES6 (1.6x1.6)

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.9A, 2.2A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

80mOhm @ 2.9A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

4nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

180pF @ 10V

전력-최대

1.1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SMD, Flat Lead

공급자 장치 패키지

ChipFET™

MMDF2N02ER2

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

25V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.6A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

100mOhm @ 2.2A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

30nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

532pF @ 16V

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

IRF7506TR

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.7A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

270mOhm @ 1.2A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

11nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

180pF @ 25V

전력-최대

1.25W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

공급자 장치 패키지

Micro8™

US6M11TR

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제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V, 12V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.5A, 1.3A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

180mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

1.8nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

110pF @ 10V

전력-최대

1W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-SMD, Flat Leads

공급자 장치 패키지

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AON5820_101

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제조업체

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

10A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

9.5mOhm @ 10A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

15nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1510pF @ 10V

전력-최대

1.7W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

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