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SSM6N48FU,RF(D

SSM6N48FU,RF(D

참조 용

부품 번호 SSM6N48FU,RF(D
PNEDA 부품 번호 SSM6N48FU-RF-D
설명 MOSFET 2N-CH 30V 0.1A
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
단가 견적 요청
재고 있음 7,074
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 3 - 12월 8 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SSM6N48FU 리소스

브랜드 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SSM6N48FU,RF(D
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

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SSM6N48FU 사양

제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate, 2.5V Drive
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)100mA (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs3.2Ohm @ 10mA, 4V
Vgs (th) (최대) @ Id1.5V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds15.1pF @ 3V
전력-최대300mW
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지US6

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Central Semiconductor Corp

제조업체

Central Semiconductor Corp

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

50V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

280mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2Ohm @ 50mA, 5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.76nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

50pF @ 25V

전력-최대

350mW

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-563, SOT-666

공급자 장치 패키지

SOT-563

ALD1102ASAL

Advanced Linear Devices Inc.

제조업체

Advanced Linear Devices Inc.

시리즈

-

FET 유형

2 P-Channel (Dual) Matched Pair

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

10.6V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

270Ohm @ 5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.2V @ 10µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

500mW

작동 온도

0°C ~ 70°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

JAN2N7334

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Military, MIL-PRF-19500/597

FET 유형

4 N-Channel

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

700mOhm @ 600mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

60nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

1.4W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

14-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

MO-036AB

MMDF2P02HDR2G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.3A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

160mOhm @ 2A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

20nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

588pF @ 16V

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

FDMS9620S

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7.5A, 10A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

21.5mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

14nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

665pF @ 15V

전력-최대

1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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