SSM6P47NU,LF
참조 용
| 부품 번호 | SSM6P47NU,LF |
| PNEDA 부품 번호 | SSM6P47NU-LF |
| 설명 | MOSFET 2P-CH 20V 4A 2-2Y1A |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 22,698 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 11월 26 - 12월 1 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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SSM6P47NU 리소스
| 브랜드 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | SSM6P47NU,LF |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
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SSM6P47NU 사양
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | 2 P-Channel (Dual) |
| FET 기능 | Logic Level Gate |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 20V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 4A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 95mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 1V @ 1mA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 4.6nC @ 4.5V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 290pF @ 10V |
| 전력-최대 | 1W |
| 작동 온도 | 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 6-WDFN Exposed Pad |
| 공급자 장치 패키지 | 6-UDFN (2x2) |
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제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 5.6A, 3.8A Rds On (최대) @ Id, Vgs 29mOhm @ 5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 19.6nC @ 8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 914pF @ 6V 전력-최대 1.4W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-UDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지 U-DFN2020-6 (Type B) |
제조업체 EPC 시리즈 eGaN® FET 유형 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) FET 기능 GaNFET (Gallium Nitride) 드레인-소스 전압 (Vdss) 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 1.7A, 500mA Rds On (최대) @ Id, Vgs 320mOhm @ 2A, 5V, 3.3Ohm @ 2A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 16pF @ 50V, 7pF @ 50V 전력-최대 - 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 9-VFBGA 공급자 장치 패키지 9-BGA (1.35x1.35) |
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 6A Rds On (최대) @ Id, Vgs 20mOhm @ 4.8A, 4V Vgs (th) (최대) @ Id 1.2V @ 200µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 22nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2010pF @ 10V 전력-최대 450mW 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SOP (5.5x6.0) |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 6A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs 25mOhm @ 4A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 12.3nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 486pF @ 10V 전력-최대 700mW (Ta) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-UDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지 U-DFN2020-6 (Type B) |
