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SST25VF020-20-4C-SAE

SST25VF020-20-4C-SAE

참조 용

부품 번호 SST25VF020-20-4C-SAE
PNEDA 부품 번호 SST25VF020-20-4C-SAE
설명 IC FLASH 2M SPI 20MHZ 8SOIC
제조업체 Microchip Technology
단가 견적 요청
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SST25VF020-20-4C-SAE 리소스

브랜드 Microchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SST25VF020-20-4C-SAE
분류반도체메모리 IC기억

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SST25VF020-20-4C-SAE 사양

제조업체Microchip Technology
시리즈SST25
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷FLASH
기술FLASH
메모리 크기2Mb (256K x 8)
메모리 인터페이스SPI
시계 주파수20MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지20µs
접근 시간-
전압-공급2.7V ~ 3.6V
작동 온도0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SOIC

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제조업체

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시리즈

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메모리 유형

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메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

메모리 크기

9Mb (256K x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

100MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

5ns

전압-공급

3.135V ~ 3.465V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

119-BGA

공급자 장치 패키지

119-PBGA (14x22)

7130LA25PF8

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Asynchronous

메모리 크기

8Kb (1K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

25ns

접근 시간

25ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

64-LQFP

공급자 장치 패키지

64-TQFP (14x14)

M58WR064KB70ZB6F TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

64Mb (4M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

66MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

70ns

접근 시간

70ns

전압-공급

1.7V ~ 2V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

56-VFBGA

공급자 장치 패키지

56-VFBGA (7.7x9)

CY7C1470BV25-250AXI

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제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

NoBL™

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR

메모리 크기

72Mb (2M x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

250MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

3ns

전압-공급

2.375V ~ 2.625V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

100-LQFP

공급자 장치 패키지

100-TQFP (14x20)

IDT71V67602S166BQ

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR

메모리 크기

9Mb (256K x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

166MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

3.5ns

전압-공급

3.135V ~ 3.465V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

165-CABGA (13x15)

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IC FLASH 16M SPI 80MHZ 8WSON