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SST26VF016BEUI-104I/SN

SST26VF016BEUI-104I/SN

참조 용

부품 번호 SST26VF016BEUI-104I/SN
PNEDA 부품 번호 SST26VF016BEUI-104I-SN
설명 16MBIT SPI/SQI FLASH W/EUI 85C 2
제조업체 Microchip Technology
단가 견적 요청
재고 있음 17,100
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 30 - 12월 5 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SST26VF016BEUI-104I/SN 리소스

브랜드 Microchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SST26VF016BEUI-104I/SN
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
SST26VF016BEUI-104I/SN, SST26VF016BEUI-104I/SN 데이터 시트 (총 페이지: 78, 크기: 2,630.99 KB)
PDFSST26VF016BEUI-104I/SN 데이터 시트 표지
SST26VF016BEUI-104I/SN 데이터 시트 페이지 2 SST26VF016BEUI-104I/SN 데이터 시트 페이지 3 SST26VF016BEUI-104I/SN 데이터 시트 페이지 4 SST26VF016BEUI-104I/SN 데이터 시트 페이지 5 SST26VF016BEUI-104I/SN 데이터 시트 페이지 6 SST26VF016BEUI-104I/SN 데이터 시트 페이지 7 SST26VF016BEUI-104I/SN 데이터 시트 페이지 8 SST26VF016BEUI-104I/SN 데이터 시트 페이지 9 SST26VF016BEUI-104I/SN 데이터 시트 페이지 10 SST26VF016BEUI-104I/SN 데이터 시트 페이지 11

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SST26VF016BEUI-104I/SN 사양

제조업체Microchip Technology
시리즈-
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷FLASH
기술FLASH
메모리 크기16Mb (2M x 8)
메모리 인터페이스SPI - Quad I/O
시계 주파수104MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지1.5ms
접근 시간-
전압-공급2.7V ~ 3.6V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SOIC

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제조업체

Maxim Integrated

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

256b (32 x 8)

메모리 인터페이스

1-Wire®

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

15µs

전압-공급

-

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-LSOJ (0.148", 3.76mm Width)

공급자 장치 패키지

6-TSOC

FM24W256-G

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

F-RAM™

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FRAM

기술

FRAM (Ferroelectric RAM)

메모리 크기

256Kb (32K x 8)

메모리 인터페이스

I²C

시계 주파수

1MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

550ns

전압-공급

2.7V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

S29GL512S10TFA010

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

GL-S

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

512Mb (32M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

60ns

접근 시간

100ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

공급자 장치 패키지

56-TSOP

AT49F001NT-90TI

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

1Mb (128K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

50µs

접근 시간

90ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

공급자 장치 패키지

32-TSOP

93C46C-I/ST

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

1Kb (128 x 8, 64 x 16)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

3MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

2ms

접근 시간

-

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

8-TSSOP

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