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SST26WF016BAT-104I/MF

SST26WF016BAT-104I/MF

참조 용

부품 번호 SST26WF016BAT-104I/MF
PNEDA 부품 번호 SST26WF016BAT-104I-MF
설명 IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8WDFN
제조업체 Microchip Technology
단가 견적 요청
재고 있음 4,230
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SST26WF016BAT-104I/MF 리소스

브랜드 Microchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SST26WF016BAT-104I/MF
분류반도체메모리 IC기억

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SST26WF016BAT-104I/MF 사양

제조업체Microchip Technology
시리즈SST26 SQI®
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷FLASH
기술FLASH
메모리 크기16Mb (2M x 8)
메모리 인터페이스SPI - Quad I/O
시계 주파수104MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지1.5ms
접근 시간-
전압-공급1.65V ~ 1.95V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-WDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지8-WDFN (5x6)

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제조업체

Alliance Memory, Inc.

시리즈

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메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - Mobile LPDDR

메모리 크기

512Mb (32M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

200MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

700ps

전압-공급

1.7V ~ 1.9V

작동 온도

-30°C ~ 85°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

60-TFBGA

공급자 장치 패키지

60-FPBGA (8x9)

W632GU6MB12J

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제조업체

Winbond Electronics

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

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메모리 크기

2Gb (128M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

800MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

20ns

전압-공급

1.283V ~ 1.45V

작동 온도

-40°C ~ 105°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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96-VFBGA (7.5x13)

RC28F128J3F75B TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

StrataFlash™

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

128Mb (16M x 8, 8M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

75ns

접근 시간

75ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

64-TBGA

공급자 장치 패키지

64-EasyBGA (10x13)

BR24G64FVT-3GE2

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

64Kb (8K x 8)

메모리 인터페이스

I²C

시계 주파수

400kHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

-

전압-공급

1.6V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

8-TSSOP-B

93LC76CT-E/ST

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

8Kb (1K x 8, 512 x 16)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

3MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

-

전압-공급

2.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

8-TSSOP

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