STB47N60DM6AG
참조 용
| 부품 번호 | STB47N60DM6AG |
| PNEDA 부품 번호 | STB47N60DM6AG |
| 설명 | AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 600 V |
| 제조업체 | STMicroelectronics |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 8,082 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 11월 27 - 12월 2 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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STB47N60DM6AG 리소스
| 브랜드 | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | STB47N60DM6AG |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
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STB47N60DM6AG 사양
| 제조업체 | STMicroelectronics |
| 시리즈 | * |
| FET 유형 | - |
| 기술 | - |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | - |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | - |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | - |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | - |
| Vgs (th) (최대) @ Id | - |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | - |
| Vgs (최대) | - |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | - |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | - |
| 작동 온도 | - |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 공급자 장치 패키지 | D²PAK (TO-263) |
| 패키지 / 케이스 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 99A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 39mOhm @ 49.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 5V @ 5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 280nC @ 10V Vgs (최대) ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 14000pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 781W (Tc) 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Chassis Mount 공급자 장치 패키지 SP4 패키지 / 케이스 SP4 |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 HEXFET® FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 160A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.3V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 4mOhm @ 95A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 140nC @ 5V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 6600pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 3.8W (Ta), 200W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-262 패키지 / 케이스 TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 HEXFET® FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 75V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 130A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 6.3mOhm @ 75A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 150µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 180nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 5150pF @ 50V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 200W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-220AB 패키지 / 케이스 TO-220-3 |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 P-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 3.3A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 90mOhm @ 2.7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 2nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 300pF @ 10V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 800mW (Ta) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 SOT-23 패키지 / 케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 SIPMOS® FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 9.5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 400mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 530pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 75W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 PG-TO220-3 패키지 / 케이스 TO-220-3 |
