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STB60NF10T4

STB60NF10T4

참조 용

부품 번호 STB60NF10T4
PNEDA 부품 번호 STB60NF10T4
설명 MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
제조업체 STMicroelectronics
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STB60NF10T4 리소스

브랜드 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호STB60NF10T4
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
STB60NF10T4, STB60NF10T4 데이터 시트 (총 페이지: 15, 크기: 359.29 KB)
PDFSTB60NF10T4 데이터 시트 표지
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STB60NF10T4 사양

제조업체STMicroelectronics
시리즈STripFET™ II
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)80A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs23mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs104nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds4270pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)300W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지D2PAK
패키지 / 케이스TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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Rohm Semiconductor

시리즈

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FET 유형

P-Channel

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

390mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

2.1nC @ 5V

Vgs (최대)

±12V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

150pF @ 10V

FET 기능

Schottky Diode (Isolated)

전력 손실 (최대)

1W (Ta)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

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제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

DTMOSIV-H

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

25A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

135mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.5V @ 1.2mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

40nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2400pF @ 300V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

180W (Tc)

작동 온도

150°C

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

4-DFN-EP (8x8)

패키지 / 케이스

4-VSFN Exposed Pad

IRF6620TRPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

27A (Ta), 150A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2.7mOhm @ 27A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.45V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

42nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4130pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.8W (Ta), 89W (Tc)

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

DIRECTFET™ MX

패키지 / 케이스

DirectFET™ Isometric MX

IXFJ32N50Q

IXYS

제조업체

IXYS

시리즈

HiPerFET™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

500V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

32A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

150mOhm @ 16A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 4mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

153nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3950pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

360W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

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100V

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2.7A (Ta)

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5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

160mOhm @ 500mA, 5V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.48nC @ 5V

Vgs (최대)

+6V, -4V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

55pF @ 50V

FET 기능

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전력 손실 (최대)

-

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

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