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STB76NF75

STB76NF75

참조 용

부품 번호 STB76NF75
PNEDA 부품 번호 STB76NF75
설명 MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK
제조업체 STMicroelectronics
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STB76NF75 리소스

브랜드 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호STB76NF75
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
STB76NF75, STB76NF75 데이터 시트 (총 페이지: 15, 크기: 765.25 KB)
PDFSTI76NF75 데이터 시트 표지
STI76NF75 데이터 시트 페이지 2 STI76NF75 데이터 시트 페이지 3 STI76NF75 데이터 시트 페이지 4 STI76NF75 데이터 시트 페이지 5 STI76NF75 데이터 시트 페이지 6 STI76NF75 데이터 시트 페이지 7 STI76NF75 데이터 시트 페이지 8 STI76NF75 데이터 시트 페이지 9 STI76NF75 데이터 시트 페이지 10 STI76NF75 데이터 시트 페이지 11

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STB76NF75 사양

제조업체STMicroelectronics
시리즈STripFET™ II
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)75V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)80A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs11mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs160nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds3700pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)300W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지D2PAK
패키지 / 케이스TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

10.3A (Ta), 12A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

19.5mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.8V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

17nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

790pF @ 30V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.6W (Ta), 35.7W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

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드레인-소스 전압 (Vdss)

400V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.4A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.6Ohm @ 1.7A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

13nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

460pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.5W (Ta), 45W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D-Pak

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

SI5481DU-T1-E3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

12A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

22mOhm @ 6.5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

50nC @ 8V

Vgs (최대)

±8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1610pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.1W (Ta), 17.8W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PowerPAK® ChipFet Single

패키지 / 케이스

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IPA65R190CFDXKSA2

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드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

190mOhm @ 7.3A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 700µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

68nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1850pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

34W (Tc)

작동 온도

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장착 유형

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

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드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 11.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

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Vgs (th) (최대) @ Id

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Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2363pF @ 12V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

660mW (Ta), 46.3W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

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