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STD17NF25

STD17NF25

참조 용

부품 번호 STD17NF25
PNEDA 부품 번호 STD17NF25
설명 MOSFET N-CH 250V 17A DPAK
제조업체 STMicroelectronics
단가 견적 요청
재고 있음 8,370
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예상 배송 12월 1 - 12월 6 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

STD17NF25 리소스

브랜드 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호STD17NF25
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
STD17NF25, STD17NF25 데이터 시트 (총 페이지: 24, 크기: 557.97 KB)
PDFSTP17NF25 데이터 시트 표지
STP17NF25 데이터 시트 페이지 2 STP17NF25 데이터 시트 페이지 3 STP17NF25 데이터 시트 페이지 4 STP17NF25 데이터 시트 페이지 5 STP17NF25 데이터 시트 페이지 6 STP17NF25 데이터 시트 페이지 7 STP17NF25 데이터 시트 페이지 8 STP17NF25 데이터 시트 페이지 9 STP17NF25 데이터 시트 페이지 10 STP17NF25 데이터 시트 페이지 11

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STD17NF25 사양

제조업체STMicroelectronics
시리즈STripFET™ II
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)250V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)17A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs165mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs29.5nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds1000pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)90W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지DPAK
패키지 / 케이스TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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제조업체

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

75V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

120A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4.2mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.8V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

234nC @ 10V

Vgs (최대)

±16V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

15450pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

306W (Tc)

작동 온도

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장착 유형

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제조업체

Renesas Electronics America

시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

25A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

8V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

15mOhm @ 12.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

6V @ 20mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

61nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4350pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

30W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

LFPAK

패키지 / 케이스

SC-100, SOT-669

HUF75637S3S

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

UltraFET™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

44A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

30mOhm @ 44A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

108nC @ 20V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1700pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

155W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D²PAK (TO-263AB)

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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Nexperia USA Inc.

시리즈

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FET 유형

-

기술

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드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

FET 기능

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전력 손실 (최대)

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작동 온도

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입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

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전력 손실 (최대)

500mW (Ta)

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