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STD27N3LH5

STD27N3LH5

참조 용

부품 번호 STD27N3LH5
PNEDA 부품 번호 STD27N3LH5
설명 MOSFET N-CH 30V 27A DPAK
제조업체 STMicroelectronics
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 29 - 12월 4 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

STD27N3LH5 리소스

브랜드 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호STD27N3LH5
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일

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STD27N3LH5 사양

제조업체STMicroelectronics
시리즈STripFET™ V
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)27A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs19mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs4.6nC @ 5V
Vgs (최대)±22V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds475pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)30W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지DPAK
패키지 / 케이스TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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N-Channel

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

19A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

9mOhm @ 12.4A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

50nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2000pF @ 20V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.5W (Ta), 6W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-SO

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

FDS6690AS

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

PowerTrench®, SyncFET™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

10A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

12mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

23nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

910pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.5W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-SOIC

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

DMG7401SFGQ-13

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

9.8A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 20V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

11mOhm @ 12A, 20V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

58nC @ 10V

Vgs (최대)

±25V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2987pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

940mW (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PowerDI3333-8

패키지 / 케이스

8-PowerVDFN

SPA16N50C3XKSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

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FET 유형

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드레인-소스 전압 (Vdss)

560V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

16A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

280mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.9V @ 675µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

66nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1600pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

34W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

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드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8.1A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

520mOhm @ 2.8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.5V @ 230µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

23.4nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

512pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

29W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

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