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STD28P3LLH6AG

STD28P3LLH6AG

참조 용

부품 번호 STD28P3LLH6AG
PNEDA 부품 번호 STD28P3LLH6AG
설명 MOSFET P-CH 30V 12A
제조업체 STMicroelectronics
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STD28P3LLH6AG 리소스

브랜드 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호STD28P3LLH6AG
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
STD28P3LLH6AG, STD28P3LLH6AG 데이터 시트 (총 페이지: 15, 크기: 715.16 KB)
PDFSTD28P3LLH6AG 데이터 시트 표지
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  • STD28P3LLH6AG Distributor

STD28P3LLH6AG 사양

제조업체STMicroelectronics
시리즈Automotive, AEC-Q101, STripFET™ H6
FET 유형P-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)12A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs30mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs29nC @ 10V
Vgs (최대)±18V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds1480pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)33W (Tc)
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지DPAK
패키지 / 케이스TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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시리즈

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FET 유형

N-Channel

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8.7A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

21mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

0.9V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

6.2nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

105pF @ 10V

FET 기능

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전력 손실 (최대)

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작동 온도

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장착 유형

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Rohm Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

20A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4.6mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

16.8nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1080pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3W (Ta), 25.1W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-HSOP

패키지 / 케이스

8-PowerTDFN

FQD10N20LTF

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

QFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

200V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7.6A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

360mOhm @ 3.8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

17nC @ 5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

830pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.5W (Ta), 51W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

TO-252, (D-Pak)

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

NTTFS4C53NTAG

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

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기술

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

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장착 유형

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드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

84A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

2.8V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

8.5mOhm @ 15A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.9V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

41nC @ 5V

Vgs (최대)

±12V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2490pF @ 6V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

88W (Tc)

작동 온도

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