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STD70N6F3

STD70N6F3

참조 용

부품 번호 STD70N6F3
PNEDA 부품 번호 STD70N6F3
설명 MOSFET N-CH 60V 70A DPAK
제조업체 STMicroelectronics
단가 견적 요청
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STD70N6F3 리소스

브랜드 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호STD70N6F3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
STD70N6F3, STD70N6F3 데이터 시트 (총 페이지: 11, 크기: 623.55 KB)
PDFSTD70N6F3 데이터 시트 표지
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STD70N6F3 사양

제조업체STMicroelectronics
시리즈STripFET™ III
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)70A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs10.5mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs35nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds2200pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)110W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지DPAK
패키지 / 케이스TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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N-Channel

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MOSFET (Metal Oxide)

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30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.2A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

40mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

6.1nC @ 4.5V

Vgs (최대)

20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

495pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.75W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

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Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.25Ohm @ 3A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

30nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1300pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

80W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220AB

패키지 / 케이스

TO-220-3

FQB32N20CTM

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

QFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

200V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

28A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

82mOhm @ 14A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

110nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2220pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.13W (Ta), 156W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D²PAK (TO-263AB)

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

500V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.3A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

13V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

950mOhm @ 1.2A, 13V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.5V @ 100µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

10.5nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

231pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

53W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

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-

FET 유형

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드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4A (Ta), 12A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

60mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

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10nC @ 10V

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±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

540pF @ 30V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.1W (Ta), 20W (Tc)

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