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STD70NS04ZL

STD70NS04ZL

참조 용

부품 번호 STD70NS04ZL
PNEDA 부품 번호 STD70NS04ZL
설명 MOSFET N-CH 33V 70A DPAK
제조업체 STMicroelectronics
단가 견적 요청
재고 있음 2,268
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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STD70NS04ZL 리소스

브랜드 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호STD70NS04ZL
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
STD70NS04ZL, STD70NS04ZL 데이터 시트 (총 페이지: 13, 크기: 740.46 KB)
PDFSTD70NS04ZL 데이터 시트 표지
STD70NS04ZL 데이터 시트 페이지 2 STD70NS04ZL 데이터 시트 페이지 3 STD70NS04ZL 데이터 시트 페이지 4 STD70NS04ZL 데이터 시트 페이지 5 STD70NS04ZL 데이터 시트 페이지 6 STD70NS04ZL 데이터 시트 페이지 7 STD70NS04ZL 데이터 시트 페이지 8 STD70NS04ZL 데이터 시트 페이지 9 STD70NS04ZL 데이터 시트 페이지 10 STD70NS04ZL 데이터 시트 페이지 11

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STD70NS04ZL 사양

제조업체STMicroelectronics
시리즈SAFeFET™
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)33V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)70A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs10.5mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id3V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs32nC @ 5V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds1800pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)110W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지DPAK
패키지 / 케이스TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

12V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

15A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4.8mOhm @ 15A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

47nC @ 10V

Vgs (최대)

±8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2385pF @ 6V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.1W (Ta)

작동 온도

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장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

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패키지 / 케이스

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IPD50N06S4L12ATMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

OptiMOS™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

50A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

12mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 20µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

40nC @ 10V

Vgs (최대)

±16V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2890pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

50W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PG-TO252-3-11

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

SPD30P06PGBTMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

SIPMOS®

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

30A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

75mOhm @ 21.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 1.7mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

48nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1535pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

125W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PG-TO252-3

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

STP60NF06L

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

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FET 유형

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드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

60A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V, 5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

14mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

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66nC @ 4.5V

Vgs (최대)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.2A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

110mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

17.2nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

969pF @ 30V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.97W (Ta)

작동 온도

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