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STF8NK85Z

STF8NK85Z

참조 용

부품 번호 STF8NK85Z
PNEDA 부품 번호 STF8NK85Z
설명 MOSFET N-CH 850V 6.7A TO-220FP
제조업체 STMicroelectronics
단가 견적 요청
재고 있음 5,022
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STF8NK85Z 리소스

브랜드 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호STF8NK85Z
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
STF8NK85Z, STF8NK85Z 데이터 시트 (총 페이지: 15, 크기: 338.35 KB)
PDFSTP8NK85Z 데이터 시트 표지
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STF8NK85Z 사양

제조업체STMicroelectronics
시리즈SuperMESH™
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)850V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)6.7A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs1.4Ohm @ 3.35A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4.5V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs60nC @ 10V
Vgs (최대)±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds1870pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)35W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
공급자 장치 패키지TO-220FP
패키지 / 케이스TO-220-3 Full Pack

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

650V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

22A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

148mOhm @ 11A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

45nC @ 10V

Vgs (최대)

±25V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

816pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

150W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-247

패키지 / 케이스

TO-247-3

제조업체

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시리즈

HiPerFET™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

200V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

220A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

6.2mOhm @ 110A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 4mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

204nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

13600pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

960W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-264

패키지 / 케이스

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제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

100A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4.4mOhm @ 30A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 500µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

60nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5435pF @ 30V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

132W (Tc)

작동 온도

175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-SOP Advance (5x5)

패키지 / 케이스

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제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

85A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

10.5mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

160nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

6550pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.75W (Ta), 250W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

450mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

20nC @ 10V

Vgs (최대)

±15V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

510pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.1W (Ta), 40W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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