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STGB30H60DFB

STGB30H60DFB

참조 용

부품 번호 STGB30H60DFB
PNEDA 부품 번호 STGB30H60DFB
설명 TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, HB
제조업체 STMicroelectronics
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STGB30H60DFB 리소스

브랜드 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호STGB30H60DFB
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
STGB30H60DFB, STGB30H60DFB 데이터 시트 (총 페이지: 21, 크기: 1,747.99 KB)
PDFSTGB30H60DFB 데이터 시트 표지
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STGB30H60DFB 사양

제조업체STMicroelectronics
시리즈-
IGBT 유형Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)60A
전류-수집기 펄스 (Icm)120A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2V @ 15V, 30A
전력-최대260W
에너지 전환383µJ (on), 293µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지149nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C37ns/146ns
테스트 조건400V, 30A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)53ns
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지D2PAK

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제조업체

IXYS

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

50A

전류-수집기 펄스 (Icm)

80A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

4V @ 15V, 25A

전력-최대

200W

에너지 전환

9.6mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

120nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

100ns/450ns

테스트 조건

960V, 25A, 18Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AD (IXSH)

FGA20N120FTDTU

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

40A

전류-수집기 펄스 (Icm)

60A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 20A

전력-최대

298W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

137nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

447ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3P-3, SC-65-3

공급자 장치 패키지

TO-3P

NGTB50N60FLWG

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

100A

전류-수집기 펄스 (Icm)

200A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 50A

전력-최대

223W

에너지 전환

1.1mJ (on), 600µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

310nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

116ns/292ns

테스트 조건

400V, 50A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

85ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247

제조업체

IXYS

시리즈

HiPerFAST™

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

75A

전류-수집기 펄스 (Icm)

150A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 40A

전력-최대

200W

에너지 전환

850µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

116nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

25ns/100ns

테스트 조건

480V, 40A, 4.7Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

3.5ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

ISOPLUS247™

공급자 장치 패키지

ISOPLUS247™

FGL60N100BNTD

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

NPT and Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1000V

전류-수집기 (Ic) (최대)

60A

전류-수집기 펄스 (Icm)

120A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.9V @ 15V, 60A

전력-최대

180W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

275nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

140ns/630ns

테스트 조건

600V, 60A, 51Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

1.2µs

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

TO-264-3

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LTV-817S-TA1-D

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